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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-12-12 13:30 スパッタリングにより形成したHfO2膜をゲート絶縁膜とするCLC低温Poly-Si TFT ○目黒達也・原 明人（東北学院大）  EID2014-23 SDM2014-118 |
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| 抄録 | （和） | 高い電流駆動能力を有する低温（LT）多結晶Si（poly-Si）薄膜トランジスタ（TFT）の実現に向け，連続波レーザラテラル結晶化（CLC）による高品質のラテラル大粒径多結晶Si薄膜を有するLT poly-Si TFTに対して，高誘電率ゲート絶縁膜の適用を試みた．スパッタリング法にて成膜されたHfO2は比誘電率15を示し，ゲート絶縁膜のCETは11 nmであった．作成されたTFTは，電界効果移動度が160 cm2/Vs，S値が200 mV/decであり，レファレンスとして作成されたSiO2 をゲート絶縁膜とするTFTの約4倍の出力電流という優れた性能を実現した．これらは，high-k CLC LT poly-Si TFTの可能性を示すものである． |
| （英） | To achieve high performance low-temperature (LT) polycrystalline-silicon (poly-Si) thin-film transistors (TFTs), high-k gate dielectric of sputtered HfO2 was combined with high-quality lateral large-grained poly-Si thin film fabricated by continuous-wave laser lateral crystallization (CLC). The CET obtained from split CV method indicates 11 nm and HfO2 gate dielectric shows dielectric constant of 15. Field-effect mobility and S.S. of fabricated CLC LT poly-Si TFTs are 160 cm2/Vs and 200 mV/dec, respectively. Furthermore, drain current of the TFT was about 4 times higher than that of TFT with SiO2 gate dielectric. This result demonstrates feasibility of high-k CLC LT poly-Si TFTs. | |
| キーワード | （和） | 薄膜トランジスタ / LT poly-Si TFT / レーザ結晶化 / SiO2 / Al2O3 / HfO2 / / |
| （英） | Thin film transistor / Low-temperature poly-Si TFT / Laser crystallization / SiO2 / Al2O3 / HfO2 / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 360, SDM2014-118, pp. 51-54, 2014年12月. | |
| 資料番号 | SDM2014-118 | |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2014-23 SDM2014-118 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID |
| 開催期間 | 2014-12-12 - 2014-12-12 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | Si and Si-related Materials and Devices, Display Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-12-SDM-EID |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | スパッタリングにより形成したHfO2膜をゲート絶縁膜とするCLC低温Poly-Si TFT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-Temperature CLC Poly-Si TFTs with Sputtered HfO2 Gate Dielectric Layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin film transistor |
| キーワード(2)（和/英） | LT poly-Si TFT / Low-temperature poly-Si TFT |
| キーワード(3)（和/英） | レーザ結晶化 / Laser crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | SiO2 / SiO2 |
| キーワード(5)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(6)（和/英） | HfO2 / HfO2 |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 目黒 達也 / Tatsuya Meguro / メグロ タツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 明人 / Akito Hara / ハラ アキト |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-12-12 13:30:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2014-23, SDM2014-118 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.359(EID), no.360(SDM) |
| ページ範囲 | pp.51-54 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) |
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