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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-12-19 16:40 その場ウェハ曲率測定による格子緩和率制御手法を用いて作製したGaAs/InGaAs系1.3 um帯メタモルフィックレーザの高速変調動作 ○中尾 亮・荒井昌和・小林 亘・山本 剛・松尾慎治（NTT）  OPE2014-150 LQE2014-137 |
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| 抄録 | （和） | メタモルフィック成長技術は，半導体デバイス作製における格子整合の制約を解放し，通信波長帯レーザの高性能化や光電子集積などへの応用が期待される．本報告では，メタモルフィックバッファの結晶成長に際し，成長時その場ウェハ曲率測定を用いることで高精度な格子緩和率制御を可能とする手法を提案する．これにより，GaAs基板上に従来にない薄さを有する膜構造で低転位なInGaAsメタモルフィックバッファ層の形成に成功した．この薄膜化により，微細加工プロセスを制限していたウェハ反りの大幅低減を可能とし，薄膜バッファ上に作製したレーザにおいて，発振波長1.3 um帯で187 Kの特性温度と25 Gbit/sの直接変調動作を達成した． |
| （英） | Metamorphic-growth technology has a potential to overcome the restriction of the lattice matching in the semiconductor device fabrication; this technology enables to construct a high-performance lasers for a data transmission system in telecom and photonics-electronics integrated devices in ICT equipment. In this report, we proposed a new device fabrication method which enables highly-accurate control of crystal lattice relaxation of metamorphic buffer by introducing in-situ wafer curvature measurements during growth. As a result, we successfully achieved a thin InGaAs metamorphic buffer with a low dislocations and small wafer curvature on a GaAs substrate; this buffer enables us to fabricate metamorphic laser diode. We have also confirmed that a prototype laser had a high characteristic temperature (187 K) and a directly modulation of 25 Gbit/s at 1.3 um. | |
| キーワード | （和） | メタモルフィック結晶成長 / その場測定 / 直接変調 / 高温度特性 / / / / |
| （英） | Metamorphic Growth / In-situ Measurement / Direct Modulation / High Temperature Characteristics / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 378, LQE2014-137, pp. 59-64, 2014年12月. | |
| 資料番号 | LQE2014-137 | |
| 発行日 | 2014-12-11 (OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2014-150 LQE2014-137 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE LQE |
| 開催期間 | 2014-12-18 - 2014-12-19 |
| 開催地（和） | 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan, NTT Atsugi R&D center |
| テーマ（和） | 光パッシブコンポネント(フィルタ，コネクタ，MEMS)、半導体レーザ関連技術、シリコンフォトニクス、一般 |
| テーマ（英） | Optical passive component (filter, connector, MEMS), Semiconductor lasers, Silicon photonics, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2014-12-OPE-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | その場ウェハ曲率測定による格子緩和率制御手法を用いて作製したGaAs/InGaAs系1.3 um帯メタモルフィックレーザの高速変調動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-speed operation of 1.3 um GaAs/InGaAs metamorphic lasers fabricated by using highly-accurate control of crystal lattice relaxation based on in-situ wafer curvature measurement |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | メタモルフィック結晶成長 / Metamorphic Growth |
| キーワード(2)（和/英） | その場測定 / In-situ Measurement |
| キーワード(3)（和/英） | 直接変調 / Direct Modulation |
| キーワード(4)（和/英） | 高温度特性 / High Temperature Characteristics |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中尾 亮 / Ryo Nakao / ナカオ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 昌和 / Masakazu Arai / アライ マサカズ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 亘 / Wataru Kobayashi / コバヤシ ワタル |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 剛 / Tsuyoshi Yamamoto / ヤマモト ツヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松尾 慎治 / Shinji Matsuo / マツオ シンジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-12-19 16:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | OPE2014-150, LQE2014-137 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.377(OPE), no.378(LQE) |
| ページ範囲 | pp.59-64 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-12-11 (OPE, LQE) |
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