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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-01-16 10:00 X帯310W高出力GaN HEMT増幅器 ○菊池 憲・西原 信・山本 洋・水野慎也・八巻史一・山本高史（住友電工デバイス・イノベーション）  ED2014-126 MW2014-190 |
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| 抄録 | （和） | GaN HEMTを用いたX帯高出力・広帯域内部整合型増幅器について報告する． X帯レーダー用増幅器の固体素子化に向けて，GaN HEMT増幅器の高出力化が期待されている． 我々は14.4 mmのゲート幅を有するGaN HEMTを2つ用い，入力および出力側にそれぞれ2段のインピーダンス変換器を備えた内部整合型増幅器を開発した． 今回開発した増幅器は，ドレイン電圧65 Vのパルス駆動で，8.5-10.0 GHzにおいて出力電力310 W，パワーゲイン10.0 dBを得た． また，9.0 GHzにおいて出力電力333 W，パワーゲイン10.2 dBを得た． この結果はこれまでにX帯で報告されているGaN HEMT増幅器において最高の出力電力である． |
| （英） | A high-output power and broadband GaN high electron mobility transistor (HEMT) has been developed for X-band applications. The device consists of 2-dice of 14.4-mm gate periphery together with input and output 2-stage impedance transformers. The device exhibited saturated output power of 310 W with power gain of 10.0 dB over the wide frequency range of 8.5-10.0 GHz, operating at 65 V drain voltage under pulsed condition. In addition, the highest saturated output power reached 333 W with power gain of 10.2 dB at 9.0 GHz. This is the highest output power GaN HEMT ever reported for X-band. |
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| キーワード | （和） | GaN HEMT / 増幅器 / X帯 / レーダー / 高出力 / 広帯域 / / |
| （英） | GaN HEMT / power amplifiers / X-band / radar / high output power / broadband / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 392, MW2014-190, pp. 53-58, 2015年1月. | |
| 資料番号 | MW2014-190 | |
| 発行日 | 2015-01-08 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-126 MW2014-190 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2015-01-15 - 2015-01-16 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices/Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2015-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | X帯310W高出力GaN HEMT増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An X-band 310 W High Power GaN HEMT Amplifier |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 増幅器 / power amplifiers |
| キーワード(3)（和/英） | X帯 / X-band |
| キーワード(4)（和/英） | レーダー / radar |
| キーワード(5)（和/英） | 高出力 / high output power |
| キーワード(6)（和/英） | 広帯域 / broadband |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菊池 憲 / Ken Kikuchi / キクチ ケン |
| 第1著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称： 住友電工デバイス・イノベーション) SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. (略称： SEDI) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西原 信 / Makoto Nishihara / ニシハラ マコト |
| 第2著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称： 住友電工デバイス・イノベーション) SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. (略称： SEDI) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 洋 / Hiroshi Yamamoto / ヤマモト ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称： 住友電工デバイス・イノベーション) SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. (略称： SEDI) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水野 慎也 / Shinya Mizuno / ミズノ シンヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称： 住友電工デバイス・イノベーション) SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. (略称： SEDI) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 八巻 史一 / Fumikazu Yamaki / ヤマキ フミカズ |
| 第5著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称： 住友電工デバイス・イノベーション) SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. (略称： SEDI) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 高史 / Takashi Yamamoto / ヤマモト タカシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称： 住友電工デバイス・イノベーション) SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. (略称： SEDI) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-01-16 10:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | ED2014-126, MW2014-190 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.391(ED), no.392(MW) |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-01-08 (ED, MW) |
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