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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-01-27 16:45 ［招待講演］Si CMOSプラットフォームにおけるp-n相補型トンネルFinFETの急峻サブスレッショルド・スイングおよび超低オフ電流の実証 ○森田行則・森 貴洋・福田浩一・水林 亘・右田真司・松川 貴・遠藤和彦・大内真一・柳 永勛・昌原明植・太田裕之（産総研）  SDM2014-146 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2014-146 |
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| 抄録 | （和） | FinFET型チャネルを持つトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFinFET)をSi CMOSプラットフォームにおいて形成し，p型およびn型の両者において60 mV/decadeを下回るサブスレッショッルド・スイングの値とpA/µm以下の低オフ電流を実証した．高濃度にヒ素及びボロンをドープしたSiのソース上に，エピタキシャル成長を用いてトンネル接合を形成する際の前処理を最適化し，界面欠陥を排除することで高性能化を実現した |
| （英） | Complementary (p- and n-type) tunnel FinFETs operating with subthreshold slopes (SSs) of less than 60 mV/decade and very low off-currents (on the order of a few pA/µm) have been experimentally realized on the Si CMOS platform. Improvements in the SSs have been realized by optimizing epitaxial channel growth on heavily arsenic- and boron-doped source surfaces for purging interface defects at the epitaxial tunnel junctions. | |
| キーワード | （和） | トンネルFET / TFET / FinFET / トンネルFinFET / エピタキシャル成長 / スティープスロープ / / |
| （英） | Tunnel FET / TFET / FinFET / Tunnel FinFET / Epitaxial growth / Steep-slope / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 421, SDM2014-146, pp. 45-48, 2015年1月. | |
| 資料番号 | SDM2014-146 | |
| 発行日 | 2015-01-20 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-146 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2014-146 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-01-27 - 2015-01-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si CMOSプラットフォームにおけるp-n相補型トンネルFinFETの急峻サブスレッショルド・スイングおよび超低オフ電流の実証 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Experimental Realization of Complementary p- and n- Tunnel FinFETs with Subthreshold Slopes of Less than 60 mV/decade and Very Low (pA/um) Off-Current on a Si CMOS Platform |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネルFET / Tunnel FET |
| キーワード(2)（和/英） | TFET / TFET |
| キーワード(3)（和/英） | FinFET / FinFET |
| キーワード(4)（和/英） | トンネルFinFET / Tunnel FinFET |
| キーワード(5)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial growth |
| キーワード(6)（和/英） | スティープスロープ / Steep-slope |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 行則 / Yukinori Morita / |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業総合技術研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 貴洋 / Takahiro Mori / |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業総合技術研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 浩一 / Koichi Fukuda / |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業総合技術研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水林 亘 / Wataru Mizubayashi / |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業総合技術研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 右田 真司 / Shinji Migita / |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業総合技術研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松川 貴 / Takashi Matsukawa / |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業総合技術研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 和彦 / Kazuhiko Endo / |
| 第7著者 所属（和/英） | 産業総合技術研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大内 真一 / Shinichi O'uchi / |
| 第8著者 所属（和/英） | 産業総合技術研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳 永勛 / Yongxun Liu / |
| 第9著者 所属（和/英） | 産業総合技術研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 昌原 明植 / Meishoku Masahara / |
| 第10著者 所属（和/英） | 産業総合技術研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 裕之 / Hiroyuki Ota / |
| 第11著者 所属（和/英） | 産業総合技術研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-01-27 16:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-146 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.421 |
| ページ範囲 | pp.45-48 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-01-20 (SDM) |
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