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講演抄録/キーワード
講演名 2015-01-30 10:00
SiCパワーデバイスを使った変換器の高周波スイッチング動作に関する検討
佐藤伸二谷澤秀和高橋弘樹安在岳士樋山浩平村上善則佐藤 弘FUPETEE2014-34
抄録 (和) SiCパワーデバイスは従来から用いられているSiと比較して高温で動作させることができる。また高速スイッチングを利用して高周波スイッチングが実現する。これらの特徴を利用して、変換器の高効率化および小型化が期待できる。本論文では、SiC を用いて位相シフト型DC-DC コンバータを試作し、その実験によって課題を明確にする 
(英) SiC power devices can be operated in the higher temperature than Si power devices. And also, it can achieve the high-speed switching operation with lower switching losses, so that the high frequency switching can be realized. Thus, there is a possibility that a cooling system and electrical filter can be smaller. It can leads the whole converter system smaller. In this paper, we discuss the design of high frequency power converter using SiC power devices.
キーワード (和) SiCパワーデバイス / 接合FET / 寄生キャパシタ / ワイドギャップ半導体 / DC-DC変換器 / / /  
(英) SiC power device / JFET / Strain capacitor / wide-gap semiconductor / DC-DC converter / / /  
文献情報 信学技報, vol. 114, no. 429, EE2014-34, pp. 31-35, 2015年1月.
資料番号 EE2014-34 
発行日 2015-01-22 (EE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EE2014-34

研究会情報
研究会 EE  
開催期間 2015-01-29 - 2015-01-30 
開催地(和) 桜の馬場 城彩苑(熊本県) 
開催地(英) Sakura-No-Baba JOSAIEN 
テーマ(和) 回路技術及び高効率エネルギー変換技術関連,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EE 
会議コード 2015-01-EE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiCパワーデバイスを使った変換器の高周波スイッチング動作に関する検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Feasibility study of high-frequency power converter using SiC power device 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SiCパワーデバイス / SiC power device  
キーワード(2)(和/英) 接合FET / JFET  
キーワード(3)(和/英) 寄生キャパシタ / Strain capacitor  
キーワード(4)(和/英) ワイドギャップ半導体 / wide-gap semiconductor  
キーワード(5)(和/英) DC-DC変換器 / DC-DC converter  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 伸二 / Shinji Sato / サトウ シンジ
第1著者 所属(和/英) 技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構 (略称: FUPET)
R&D Partnership for Future Power Electronics Technology (略称: FUPET)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷澤 秀和 / Hidekazu Tanisawa / タニサワ ヒデカズ
第2著者 所属(和/英) 技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構 (略称: FUPET)
R&D Partnership for Future Power Electronics Technology (略称: FUPET)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 弘樹 / Hiroki Takahashi / タカハシ ヒロキ
第3著者 所属(和/英) 技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構 (略称: FUPET)
R&D Partnership for Future Power Electronics Technology (略称: FUPET)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 安在 岳士 / Takeshi Anzai / アンザイ タケシ
第4著者 所属(和/英) 技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構 (略称: FUPET)
R&D Partnership for Future Power Electronics Technology (略称: FUPET)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 樋山 浩平 / Kohei Hiyama / ヒヤマ コウヘイ
第5著者 所属(和/英) 技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構 (略称: FUPET)
R&D Partnership for Future Power Electronics Technology (略称: FUPET)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 村上 善則 / Yoshinori Murakami / ムラカミ ヨシノリ
第6著者 所属(和/英) 技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構 (略称: FUPET)
R&D Partnership for Future Power Electronics Technology (略称: FUPET)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 弘 / Hiroshi Sato / サトウ ヒロシ
第7著者 所属(和/英) 技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構 (略称: FUPET)
R&D Partnership for Future Power Electronics Technology (略称: FUPET)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-01-30 10:00:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 EE 
資料番号 EE2014-34 
巻番号(vol) vol.114 
号番号(no) no.429 
ページ範囲 pp.31-35 
ページ数
発行日 2015-01-22 (EE) 


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