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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-02-05 13:30 ［招待講演］極薄Si酸化膜技術を用いたSi系熱電ナノ材料の開発 ○中村芳明（阪大）  ED2014-138 SDM2014-147 |
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| 抄録 | （和） | 我々は, ユビキタス元素からなるSi系熱電材料の開発を目的とし, 新規熱電ナノ材料として, 数nmサイズのナノドットを結晶方位を揃えて連結した新規構造を提案した. そこでは, ナノドットによる熱伝導率の低減, 結晶方位制御により電気伝導率悪化の抑制, が期待できる. ユビキタス元素Siを熱電材料利用するには, その高い熱伝導率を大幅に低減する必要がある. 我々は, 独自の極薄Si酸化膜技術を用いてSiナノドット連結構造の形成に成功した. Siナノドットは, たった一原子層の酸化膜で覆われ, ナノ開口を通して接触してエピタキシャル成長している. 我々は, 本ナノ構造用いることで, 劇的な熱伝導率低減が可能となることを見出した. |
| （英） | The structure of connected nanodots (NDs) epitaxially grown on Si substrates was proposed as thermoelectric nanomaterials. Connected NDs are expected to reduce thermal conductivity. Epitaxial growth plays a role of keeping high electrical conductivity owing to the coherency of carrier wavefunction in NDs. In terms of Si with high power factor, reduction of thermal conductivity is the most important challenge. We fabricated the stacked epitaxial Si ND structures for development of Si-based thermoelectric materials using ultrathin SiO2 film technique, where each epitaxial ND has an identical crystal orientation and an ultrathin SiO2 film as surrounding barrier. We observed the large reduction of thermal conductivity in this nanostructure. | |
| キーワード | （和） | Silicon / Nanodots / Thermoelectronics / Thermal conductivity / Epitaxial growth / / / |
| （英） | Silicon / Nanodots / Thermoelectronics / Thermal conductivity / Epitaxial growth / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 443, SDM2014-147, pp. 1-5, 2015年2月. | |
| 資料番号 | SDM2014-147 | |
| 発行日 | 2015-01-29 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2014-138 SDM2014-147 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2015-02-05 - 2015-02-06 |
| 開催地（和） | 北海道大学（百年記念会館） |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスおよび関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-02-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 極薄Si酸化膜技術を用いたSi系熱電ナノ材料の開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Si-based thermoelectric nanomaterial using ultrathin SiO2 film technique |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Silicon / Silicon |
| キーワード(2)（和/英） | Nanodots / Nanodots |
| キーワード(3)（和/英） | Thermoelectronics / Thermoelectronics |
| キーワード(4)（和/英） | Thermal conductivity / Thermal conductivity |
| キーワード(5)（和/英） | Epitaxial growth / Epitaxial growth |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 芳明 / Yoshiaki Nakamura / ナカムラ ヨシアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka Univeristy (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-02-05 13:30:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2014-138, SDM2014-147 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.442(ED), no.443(SDM) |
| ページ範囲 | pp.1-5 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-01-29 (ED, SDM) |
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