講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-03-02 11:35
[招待講演]エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 ○中塚 理・鄧 云生・鈴木陽洋・坂下満男・田岡紀之・財満鎭明(名大) SDM2014-165 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2014-165 |
抄録 |
(和) |
省電力・高速Geデバイスの実現には、金属/Ge接合のコンタクト抵抗低減に向けた界面電子物性の制御が必要不可欠である。本研究では、Ge(001)およびGe(110)基板上へのエピタキシャルNiGe薄膜の形成技術を構築し、様々な界面結晶構造を有するNiGe/n-Geショットキー接合における電気的特性を評価した。NiGe/n-Ge界面のショットキー障壁高さは、NiGe/Ge界面の結晶構造に強く依存することが明らかになった。また、エピタキシャルNiGe/n-Ge界面の形成によって、フェルミレベルピニングを軽減し、ショットキー障壁高さを制御できる可能性が示唆された。 |
(英) |
We need to develop the control technology of the electronic property at metal/Ge interfaces for low-power and high-speed Ge electronic devices. In this study, we have examined the formation of epitaxial NiGe layers on Ge(001) and Ge(110) substrates and have investigated the electrical conduction property of NiGe/Ge Schottky contacts with various interface structures. We clarified the strong dependence of the Schottky barrier height on the crystalline structure of the NiGe/Ge interfaces. Also, we demonstrate the possibility that an epitaxial NiGe/Ge interface promises the alleviation of the Fermi level pining phenomenon and the control of the Schottky barrier height. |
キーワード |
(和) |
ゲルマニウム / 金属/半導体接合 / エピタキシャル成長 / ジャーマナイド / ショットキー障壁高さ / / / |
(英) |
germanium / metal/Semiconductor contact / epitaxial growth / germanide / Schottky barrier height / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 469, SDM2014-165, pp. 17-22, 2015年3月. |
資料番号 |
SDM2014-165 |
発行日 |
2015-02-23 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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