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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-03-02 11:35 ［招待講演］エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 ○中塚 理・鄧 云生・鈴木陽洋・坂下満男・田岡紀之・財満鎭明（名大）  SDM2014-165 |
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| 抄録 | （和） | 省電力・高速Geデバイスの実現には、金属/Ge接合のコンタクト抵抗低減に向けた界面電子物性の制御が必要不可欠である。本研究では、Ge(001)およびGe(110)基板上へのエピタキシャルNiGe薄膜の形成技術を構築し、様々な界面結晶構造を有するNiGe/n-Geショットキー接合における電気的特性を評価した。NiGe/n-Ge界面のショットキー障壁高さは、NiGe/Ge界面の結晶構造に強く依存することが明らかになった。また、エピタキシャルNiGe/n-Ge界面の形成によって、フェルミレベルピニングを軽減し、ショットキー障壁高さを制御できる可能性が示唆された。 |
| （英） | We need to develop the control technology of the electronic property at metal/Ge interfaces for low-power and high-speed Ge electronic devices. In this study, we have examined the formation of epitaxial NiGe layers on Ge(001) and Ge(110) substrates and have investigated the electrical conduction property of NiGe/Ge Schottky contacts with various interface structures. We clarified the strong dependence of the Schottky barrier height on the crystalline structure of the NiGe/Ge interfaces. Also, we demonstrate the possibility that an epitaxial NiGe/Ge interface promises the alleviation of the Fermi level pining phenomenon and the control of the Schottky barrier height. | |
| キーワード | （和） | ゲルマニウム / 金属/半導体接合 / エピタキシャル成長 / ジャーマナイド / ショットキー障壁高さ / / / |
| （英） | germanium / metal/Semiconductor contact / epitaxial growth / germanide / Schottky barrier height / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 469, SDM2014-165, pp. 17-22, 2015年3月. | |
| 資料番号 | SDM2014-165 | |
| 発行日 | 2015-02-23 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2014-165 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-03-02 - 2015-03-02 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | http://www.ieice.org/jpn/about/syozai.html |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-03-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Epitaxial Metal/Gemanium Contacts and Control of Electric Conduction Property at the Interface |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / germanium |
| キーワード(2)（和/英） | 金属/半導体接合 / metal/Semiconductor contact |
| キーワード(3)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(4)（和/英） | ジャーマナイド / germanide |
| キーワード(5)（和/英） | ショットキー障壁高さ / Schottky barrier height |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya Univ. (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鄧 云生 / Yunsheng Deng / |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya Univ. (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 陽洋 / Akihiro Suzuki / |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya Univ. (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya Univ. (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka / |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya Univ. (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya Univ. (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-03-02 11:35:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2014-165 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.469 |
| ページ範囲 | pp.17-22 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-02-23 (SDM) |
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