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| 講演名 | 2015-03-05 11:05 ［招待講演］GaN-HEMTを用いた2.45GHz帯高効率F級増幅器の設計と試作 ○西尾 岳・石崎俊雄（龍谷大）  MW2014-205 ICD2014-118 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2014-205 ICD2014-118 |
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| 抄録 | （和） | APMC2014 Student Design CompetitionのためのGaN-HEMT増幅器を設計，試作した．高調波を考慮しない基本増幅器を試作し，小信号，大信号特性を確認した．特に，発振を防止するための安定化回路の方式による特性の違いをシミュレーションで検討し，発振を防止しつつ所望帯域での影響の少ない方式を選定した．次に，二次高調波，三次高調波をF級負荷回路で処理したF級増幅器を設計し，出力電力8.7W，電力付加効率54.8％という良好な結果を得た．本報告では，F級負荷回路の設計と試作したF級増幅器の特性について述べる． |
| （英） | For APMC2014 Student Design Competition, a GaN-HEMT amplifier was designed. First, a basic amplifier that does not take care of harmonics was designed and its small signal performance and large signal performance were confirmed. Especially, differences of stabilization circuits for preventing oscillation were considered by simulation. A circuit for preventing oscillation, which does not affect the performance at desired frequency, was selected. Then, class-F amplifier, in which the second harmonic and the third harmonic are processed by load circuit, was developed. The developed amplifier showed very good performance with output power of 8.7W and power added efficiency (PAE) of 54.8%. In this report, design procedure of class-F load circuit and performance of the developed class-F amplifier are described. | |
| キーワード | （和） | APMC2014 / 学生コンテスト / マイクロ波 / 増幅器 / F級 / / / |
| （英） | APMC2014 / Student Design Competition / Microwave / Amplifier / Class-F / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 498, MW2014-205, pp. 19-22, 2015年3月. | |
| 資料番号 | MW2014-205 | |
| 発行日 | 2015-02-26 (MW, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2014-205 ICD2014-118 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2014-205 ICD2014-118 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ICD |
| 開催期間 | 2015-03-05 - 2015-03-06 |
| 開催地（和） | 福井大学 |
| 開催地（英） | University of Fukui |
| テーマ（和） | マイクロ波集積回路／一般 |
| テーマ（英） | Microwave Integrated Circuit / Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2015-03-MW-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN-HEMTを用いた2.45GHz帯高効率F級増幅器の設計と試作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Design and Fabrication of 2.45GHz-Band High Efficiency Class-F Power Amplifier using GaN-HEMT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | APMC2014 / APMC2014 |
| キーワード(2)（和/英） | 学生コンテスト / Student Design Competition |
| キーワード(3)（和/英） | マイクロ波 / Microwave |
| キーワード(4)（和/英） | 増幅器 / Amplifier |
| キーワード(5)（和/英） | F級 / Class-F |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西尾 岳 / Gaku Nishio / ニシオ ガク |
| 第1著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石崎 俊雄 / Toshio Ishizaki / |
| 第2著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-03-05 11:05:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2014-205, ICD2014-118 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.498(MW), no.499(ICD) |
| ページ範囲 | pp.19-22 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-02-26 (MW, ICD) |
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