講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-04-30 13:00
大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射アモルファスシリコン細線による結晶成長制御およびCMOS回路の高速駆動 ○森崎誠司・林 将平・山本将悟・中谷太一・東 清一郎(広島大) SDM2015-13 OME2015-13 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-13 OME2015-13 |
抄録 |
(和) |
1µmのアモルファスシリコン細線構造を用いることにより大気圧マイクロ熱プラズマジェット(µ-TPJ)の高速横方向結晶化(HSLC)によるチャネル領域のランダム粒界を抑制した。チャネル長(L)1 µmの短チャネルで形成した薄膜トランジスタ(TFT)においても細線構造が有効であり、細線構造を用いない場合に比べてTFTの特性ばらつきをおよそ1/3 以下に抑制し、NMOSで電界効果移動度は503 ± 63 cm2V-1s-1、しきい値電圧は1.7 ± 0.06 V、Sファクターは 196 ± 15 mV/dec.を達成した。さらに細線構造を用いた9段のリング発振器は電源電圧5Vで107.5 MHzで発振し、CMOS回路の高速駆動を実証した。 |
(英) |
The formation or random grain boundaries was successfully suppressed using grain growth control of high-speed lateral crystallization (HSLC) by micro-thermal-plasma-jet (µ-TPJ) irradiation on1 µm-wide amorphous silicon strips. This strip pattern is quite effective to improve the characteristics of thin film transistors (TFTs). The characteristic variability of TFTs with strip pattern was suppressed to 1/3 compared with conventional pattern. NMOS TFTs achieved field effect mobility of 503 ± 63 cm2V-1s-1, threshold voltage of 1.7 ± 0.06 V and S-factor of 196 ± 15 mV/dec.、152 ± 17 mV/dec. High-speed operation of CMOS circuit was demonstrated . 9-stage ring oscillator with strip pattern was oscillated by 107.5 MHz at supply voltage of 5 V. |
キーワード |
(和) |
熱プラズマジェット / 薄膜トランジスタ / CMOS / / / / / |
(英) |
Thermal Plasma Jet / Thin Film Transistor / CMOS / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 18, SDM2015-13, pp. 49-52, 2015年4月. |
資料番号 |
SDM2015-13 |
発行日 |
2015-04-22 (SDM, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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