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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-04-30 13:00 大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射アモルファスシリコン細線による結晶成長制御およびCMOS回路の高速駆動 ○森崎誠司・林 将平・山本将悟・中谷太一・東 清一郎（広島大）  SDM2015-13 OME2015-13 |
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| 抄録 | （和） | 1µmのアモルファスシリコン細線構造を用いることにより大気圧マイクロ熱プラズマジェット(µ-TPJ)の高速横方向結晶化(HSLC)によるチャネル領域のランダム粒界を抑制した。チャネル長(L)1 µmの短チャネルで形成した薄膜トランジスタ(TFT)においても細線構造が有効であり、細線構造を用いない場合に比べてTFTの特性ばらつきをおよそ1/3 以下に抑制し、NMOSで電界効果移動度は503 ± 63 cm2V-1s-1、しきい値電圧は1.7 ± 0.06 V、Sファクターは 196 ± 15 mV/dec.を達成した。さらに細線構造を用いた9段のリング発振器は電源電圧5Vで107.5 MHzで発振し、CMOS回路の高速駆動を実証した。 |
| （英） | The formation or random grain boundaries was successfully suppressed using grain growth control of high-speed lateral crystallization (HSLC) by micro-thermal-plasma-jet (µ-TPJ) irradiation on1 µm-wide amorphous silicon strips. This strip pattern is quite effective to improve the characteristics of thin film transistors (TFTs). The characteristic variability of TFTs with strip pattern was suppressed to 1/3 compared with conventional pattern. NMOS TFTs achieved field effect mobility of 503 ± 63 cm2V-1s-1, threshold voltage of 1.7 ± 0.06 V and S-factor of 196 ± 15 mV/dec.、152 ± 17 mV/dec. High-speed operation of CMOS circuit was demonstrated . 9-stage ring oscillator with strip pattern was oscillated by 107.5 MHz at supply voltage of 5 V. | |
| キーワード | （和） | 熱プラズマジェット / 薄膜トランジスタ / CMOS / / / / / |
| （英） | Thermal Plasma Jet / Thin Film Transistor / CMOS / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 18, SDM2015-13, pp. 49-52, 2015年4月. | |
| 資料番号 | SDM2015-13 | |
| 発行日 | 2015-04-22 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-13 OME2015-13 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME SDM |
| 開催期間 | 2015-04-29 - 2015-04-30 |
| 開催地（和） | 大濱信泉記念館多目的ホール |
| 開催地（英） | Oh-hama Nobumoto Memorial Hall |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術、バイオテクノロジー、および一般 |
| テーマ（英） | Thin FIlms, Functional Electronics Devices, New Functional Materials and Evaluation, BIomtechnology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-04-OME-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射アモルファスシリコン細線による結晶成長制御およびCMOS回路の高速駆動 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Grain Growth Control by Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation on Amorphous Silicon Strips and High-Speed Operation of CMOS Circuit |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 熱プラズマジェット / Thermal Plasma Jet |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin Film Transistor |
| キーワード(3)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森崎 誠司 / Seiji Morisaki / モリサキ セイジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 将平 / Shohei Hayashi / ハヤシ ショウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 将悟 / Shogo Yamamoto / ヤマモト ショウゴ |
| 第3著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中谷 太一 / Taichi Nakatani / ナカタニ タイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東 清一郎 / Seiichiro Higashi / ヒガシ セイイチロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-04-30 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-13, OME2015-13 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.18(SDM), no.19(OME) |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-04-22 (SDM, OME) |
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