講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-05-22 11:25
結晶セレン/酸化ガリウムヘテロ接合ダイオードを積層した高感度イメージセンサ ○為村成亨・菊地健司・宮川和典・大竹 浩・久保田 節(NHK)・中田時夫(東京理科大)・沖野 徹・廣瀬 裕・加藤剛久(パナソニック)・寺西信一(兵庫県立大) LQE2015-13 |
抄録 |
(和) |
結晶セレン(crystalline selenium: c-Se)を光電変換膜として適用した積層型CMOSイメージセンサを開発した.n型ワイドギャップ半導体である酸化ガリウム(gallium oxide: Ga2O3)を,外部電極からの注入電荷に対する正孔障壁として用いることで,暗電流の大幅な低減を実現した.また,c-Seの膜厚を変えることで結晶粒径の制御を行い、画素サイズよりも十分小さくすることで,初めて高画質な映像の撮影に成功した. |
(英) |
We have developed an stacked image sensor using a thin-film crystalline selenium (c-Se) as a photoconversion layer. The dark current was significantly decreased by applying an n-type wide-band-gap gallium oxide (Ga2O3) layer as a high hole-barrier against injected carriers. We herein present the first high-resolution images obtained with such a device by changing the thickness of c-Se films to decrease a size of particles much smaller than the pixel size. |
キーワード |
(和) |
CMOSイメージセンサ / 結晶セレン / 酸化ガリウム / ヘテロ接合ダイオード / 暗電流 / / / |
(英) |
CMOS image sensor / crystalline selenium / gallium oxide / heterojunction photodiode / dark current / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 46, LQE2015-13, pp. 63-67, 2015年5月. |
資料番号 |
LQE2015-13 |
発行日 |
2015-05-14 (LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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