お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2022年6月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2015-05-28 16:40
浮遊電極測定を用いたGaNショットキーバリアダイオードの順方向特性の解析
山口修造・○大石敏之佐賀大)・山口裕太郎山中宏治三菱電機ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25
抄録 (和) GaNショットキーバリアダイオード(SBD)を高電力で使用する場合,逆方向だけでなく、順方向にも大きな電圧が印加される。そこで、順方向に高電圧6 Vまで印加したときの特性を,浮遊電極を使った測定とデバイスシミュレーションにて解析した.順方向特性の電流は高電圧にて飽和傾向を持つ特徴的な傾向を示した.解析の結果,低電圧領域では真性SBDの特性が支配的であるが,高電圧領域では電極間のエピ抵抗が大きく影響することがわかった.このエピ抵抗は電圧が増加すると抵抗が増加する非線形な特性で,電極端の電界集中により電子速度の増加が抑制されたためと考えられる. 
(英) In high power Schottky barrier diodes, it is possible to apply a high voltage to Schottky electrodes. In this paper, we analyzed a physical mechanism for the forward characteristics at the high voltage by using a floating electrode measurement and a device simulation. The current slope in the current-voltage curves decreased at high voltage larger than 3.5 V. From measurement of the voltage by the floating electrodes, a parasitic resistance of the GaN epitaxial layer at the anode side was found to increase at the voltage larger than 3.5 V. By device simulation, the anode parasitic resistance was found to increase due to degradation for the electron velocity at the high electric field.
キーワード (和) GaN / Schottky barrier diode / 浮遊電極 / 順方向 / / / /  
(英) GaN / Schottky barrier diode / floating electrode / forward characteristics / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 63, ED2015-23, pp. 35-39, 2015年5月.
資料番号 ED2015-23 
発行日 2015-05-21 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25

研究会情報
研究会 ED CPM SDM  
開催期間 2015-05-28 - 2015-05-29 
開催地(和) 豊橋技科大VBL棟 
開催地(英) Venture Business Laboratory, Toyohashi University of Technology 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英) crystal growth、devices characterization , etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2015-05-ED-CPM-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 浮遊電極測定を用いたGaNショットキーバリアダイオードの順方向特性の解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Analysis of forward characteristics of GaN Schottky barrier diodes by using floating electrodes 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) Schottky barrier diode / Schottky barrier diode  
キーワード(3)(和/英) 浮遊電極 / floating electrode  
キーワード(4)(和/英) 順方向 / forward characteristics  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 修造 / Syuzo Yamaguchi / ヤマグチ シュウゾウ
第1著者 所属(和/英) 佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga University (略称: Saga Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大石 敏之 / Toshiyuki Oishi / オオイシ トシユキ
第2著者 所属(和/英) 佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga University (略称: Saga Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 裕太郎 / Yutaro Yamaguchi / ヤマグチ ユウタロウ
第3著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corpration (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ
第4著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corpration (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第2著者 
発表日時 2015-05-28 16:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2015-23, CPM2015-8, SDM2015-25 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.63(ED), no.64(CPM), no.65(SDM) 
ページ範囲 pp.35-39 
ページ数
発行日 2015-05-21 (ED, CPM, SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会