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講演抄録/キーワード
講演名 2015-05-28 13:00
液体原料を用いた熱CVDによるグラフェンの合成
岸 直希岩田鷹明岩間一樹包 建峰劉 会濤曽我哲夫名工大ED2015-16 CPM2015-1 SDM2015-18
抄録 (和) 我々は安全・簡便なグラフェン合成を目指し、炭素源として液体原料であるエタノールを、またキャリアガスとして窒素を用いたグラフェンCVDの研究を行っている。本稿では合成されるグラフェンの反応炉温度依存性、また炭素源供給前のアニール処理時間依存性について報告する。得られるグラフェンは反応炉温度に依存し、温度を高くするに従い層数の少ないグラフェンが得られ、質も高くなることがわかった。また炭素源供給前のアニール処理時間もエタノールによるグラフェンCVDにおいて重要なパラメーターとなり、アニール時間が長くなるに従い、層数の少ないグラフェン領域が大きくなることがわかった。 
(英) The synthesis of graphenes on Ni foils by thermal chemical vapor deposition (CVD) using ethanol as a liquid precursor has been reported. The effects of growth temperature and the annealing time were investigated. Thin layer graphenes were synthesized by CVD at high temperature. Increasing the reaction temperature improves the graphene quality. We found that the annealing time also affects to the graphene growth. The area of thin graphene layers increase with increasing the annealing time.
キーワード (和) グラフェン / 熱CVD / ラマン分光分析 / / / / /  
(英) Graphenes / Thermal chemical vapor deposition / Raman spectroscopy / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 64, CPM2015-1, pp. 1-4, 2015年5月.
資料番号 CPM2015-1 
発行日 2015-05-21 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2015-16 CPM2015-1 SDM2015-18

研究会情報
研究会 ED CPM SDM  
開催期間 2015-05-28 - 2015-05-29 
開催地(和) 豊橋技科大VBL棟 
開催地(英) Venture Business Laboratory, Toyohashi University of Technology 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英) crystal growth、devices characterization , etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2015-05-ED-CPM-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 液体原料を用いた熱CVDによるグラフェンの合成 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Synthesis of graphenes by chemical vapor deposition using liquid precursor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) グラフェン / Graphenes  
キーワード(2)(和/英) 熱CVD / Thermal chemical vapor deposition  
キーワード(3)(和/英) ラマン分光分析 / Raman spectroscopy  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸 直希 / Naoki Kishi / キシ ナオキ
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NITech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩田 鷹明 / Takaaki Iwata / イワタ タカアキ
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NITech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩間 一樹 / Kazuki Iwama / イワマ カズキ
第3著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NITech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 包 建峰 / Jianfeng Bao / ホウ ケンホウ
第4著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NITech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 劉 会濤 / Liu Huito / リュウ カイトウ
第5著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NITech)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 曽我 哲夫 / Tetsuo Soga / ソガ テツオ
第6著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NITech)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-05-28 13:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 ED2015-16, CPM2015-1, SDM2015-18 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.63(ED), no.64(CPM), no.65(SDM) 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数
発行日 2015-05-21 (ED, CPM, SDM) 


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