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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-05-29 09:00 高出力GaN HEMT素子を用いた高電力高効率増幅器／整流器の設計・試作およびその評価 ○森 大介・石川 亮・本城和彦（電通大）  MW2015-27 |
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| 抄録 | （和） | トランジスタを用いた電力増幅器では高調波処理により高効率化が実現されるが，電力の流れで見ると，直流電力をRF電力へ高効率変換している．この増幅器において出力側からRF電力を投入すると，ドレインバイアス端子から直流電力が出力され，整流器として動作する．このとき，トランジスタのゲート側のオン／オフのタイミングを調整すると，増幅動作および整流動作での各々の電流・電圧波形の間に時間反転双対性が現れ，両者が同じ効率で動作することになる。すなわち，高効率増幅器のゲート側回路を整流動作に最適な条件に調整したものは高効率整流器として動作する．本報告では，GaN HEMT素子を用い，同形のドレイン側回路を用いて試作された5.8 GHz帯高電力高効率増幅器および整流器の評価結果について報告する． |
| （英） | A high-efficiency transistor power amplifier can convert RF power into DC power. When the RF power is supplied from an output port of the amplifier, the DC power is outputted from the drain-bias node of the amplifier. Thus, the amplifier works as a rectifier. If a gate-switching timing is adjusted for each operation, a time reversal duality is observed between each voltage and current waveform at each transistor. In this case, each operation exhibits the same efficiency. Therefore, the high-efficiency amplifier that the gate-side circuit is readjusted for the rectifier operation works as the high-efficiency rectifier. By using the same GaN HEMTs and drain-side circuits, high-power and high-efficiency amplifiers and rectifiers have been fabricated and evaluated at 5.8 GHz band. | |
| キーワード | （和） | マイクロ波無線電力伝送 / トランジスタ増幅器 / トランジスタ整流器 / 高効率 / 高電力 / GaN HEMT / / |
| （英） | Microwave wireless power transfer / Transistor amplifier / Transistor rectifier / High efficiency / High Power / GaN HEMTs / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 66, MW2015-27, pp. 37-42, 2015年5月. | |
| 資料番号 | MW2015-27 | |
| 発行日 | 2015-05-21 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2015-27 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2015-05-28 - 2015-05-29 |
| 開催地（和） | 電気通信大 |
| 開催地（英） | The Univ. of Electro-Commun. |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2015-05-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高出力GaN HEMT素子を用いた高電力高効率増幅器／整流器の設計・試作およびその評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design and Evaluation of High-Power High-Efficiency GaN HEMT Amplifier/Rectifier |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波無線電力伝送 / Microwave wireless power transfer |
| キーワード(2)（和/英） | トランジスタ増幅器 / Transistor amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | トランジスタ整流器 / Transistor rectifier |
| キーワード(4)（和/英） | 高効率 / High efficiency |
| キーワード(5)（和/英） | 高電力 / High Power |
| キーワード(6)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMTs |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 大介 / Daisuke Mori / モリ ダイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 国立大学法人電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 国立大学法人電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 国立大学法人電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-05-29 09:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2015-27 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.66 |
| ページ範囲 | pp.37-42 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-05-21 (MW) |
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