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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-05-29 10:55 溶液成長法によるSnS堆積量と撹拌の関係 鈴木大司・○高野 泰・石田明広（静岡大）  ED2015-32 CPM2015-17 SDM2015-34 |
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| 抄録 | （和） | 溶液成長法によりスライドガラス上にSnSを堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、トリエタノールアミン、チオアセトアミド、アンモニア水を用いて作製した。ビーカー中にスライドガラスを投入することにより作製した。溶液組成と薄膜の堆積量の再現性が乏しかった。そこである試料は溶液中にスライドガラスを入れ5時間溶液を撹拌して作製した。ある試料は溶液中にスライドガラスを入れて1時間溶液を撹拌し、その後4時間撹拌を停止して作製した。撹拌を停止した試料の薄膜の膜厚は撹拌し続けた薄膜よりも多く堆積した。薄膜堆積時に撹拌を停止することが重要であると考えられる。 |
| （英） | Tin sulfide has been deposited on glasses using chemical bath deposition (CBD). SnS glows on glasses in a beaker containing several solutions with SnCl22H2O, acetone, triethanolamine (TEA), thioacetamide (TA), and ammonia. Deposition thickness lacks of reproducibility, indicating that the parameters except a solution composition dominated film deposition. A sample was prepared in a solution with stirring for 5 hours. Another sample was prepared in a solution with stirring for an hour and without stirring for subsequent 4 hours. SnS film thickness of the former sample was less than that of the latter sample. Deposition without stirring might be critical for SnS deposition using CBD. | |
| キーワード | （和） | 硫化スズ / 溶液成長法 / IV-VI族化合物 / 撹拌 / / / / |
| （英） | tinsulfide / chemical bath deposition / IV-VI compound semiconductor / stirring / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 64, CPM2015-17, pp. 81-84, 2015年5月. | |
| 資料番号 | CPM2015-17 | |
| 発行日 | 2015-05-21 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-32 CPM2015-17 SDM2015-34 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM SDM |
| 開催期間 | 2015-05-28 - 2015-05-29 |
| 開催地（和） | 豊橋技科大VBL棟 |
| 開催地（英） | Venture Business Laboratory, Toyohashi University of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | crystal growth、devices characterization , etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2015-05-ED-CPM-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 溶液成長法によるSnS堆積量と撹拌の関係 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influence of stirring on SnS deposition using chemical bath deposition |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 硫化スズ / tinsulfide |
| キーワード(2)（和/英） | 溶液成長法 / chemical bath deposition |
| キーワード(3)（和/英） | IV-VI族化合物 / IV-VI compound semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | 撹拌 / stirring |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 大司 / Taishi Suzuki / スズキ タイシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高野 泰 / Yasushi Takano / タカノ ヤスシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 明広 / Akihiro Ishida / イシダ アキヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2015-05-29 10:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2015-32, CPM2015-17, SDM2015-34 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.63(ED), no.64(CPM), no.65(SDM) |
| ページ範囲 | pp.81-84 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-05-21 (ED, CPM, SDM) |
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