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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-05-29 09:30 0.18um SiGe-BiCMOSリング型自己注入同期VCOの試作 ○津留正臣・谷口英司（三菱電機）  MW2015-28 |
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| 抄録 | （和） | 発振器の低位相雑音化手法の一つとして自己注入同期法が報告されている．従来の自己注入同期発振器においては帰還回路を同軸ケーブルや伝送線路により形成することで大きな遅延を得て，低位相雑音化を図っていた．ただしその効果を得るには同相で帰還する必要があり，発振周波数を可変する場合には帰還回路に移相器が必要である．ここでは帰還回路に注入同期VCOを用いたリング型自己注入同期VCOを0.18um SiGe BiCMOSプロセスを用いて試作し，注入同期VCOの移相器としての効果を確認したので報告する． 試作したリング型自己注入同期VCOの発振周波数帯域はフリーラン時と同等の7.21GHz～8.28GHz(比帯域13.8%)であり，位相雑音は-98.8dBc/Hz以下＠1MHz離調と約6dBの低位相雑音化が図れた． |
| （英） | A self-injection locking is one of phase noise improvement methods for an oscillator. A conventional self-injection locked oscillator uses a long coaxial cable or a long transmission line in order to delay a feedback signal. When the feedback is in-phase injection, a self-injection locking reduces phase noise of a free-running oscillator. If the oscillation frequency is swept, the feedback needs phase-shift control. This paper describes that an injection locked VCO works as a phase-shifter in the feedback of a self-injection locked VCO which constitutes ring topology of injection locked VCOs. A prototype of the 0.18um SiGe BiCMOS ring type self-injection locked VCO achieves the oscillation bandwidth of 7.21 GHz to 8.28 GHz (fractional bandwidth: 13.8%), which is approximately equal to fractional bandwidth of the free-running VCO, and the phase noise lower than -98.8dBc/Hz at 1MHz offset from the carrier which is improved by about 6dB. |
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| キーワード | （和） | VCO / 自己注入同期 / 位相雑音 / 帰還回路 / 遅延 / / / |
| （英） | VCO / self-injection locking / phase noise / feedback circuit / delay / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 66, MW2015-28, pp. 43-47, 2015年5月. | |
| 資料番号 | MW2015-28 | |
| 発行日 | 2015-05-21 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2015-28 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2015-05-28 - 2015-05-29 |
| 開催地（和） | 電気通信大 |
| 開催地（英） | The Univ. of Electro-Commun. |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2015-05-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 0.18um SiGe-BiCMOSリング型自己注入同期VCOの試作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Prototype of a 0.18um SiGe-BiCMOS Ring Type Self-Injection Locked VCO |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | VCO / VCO |
| キーワード(2)（和/英） | 自己注入同期 / self-injection locking |
| キーワード(3)（和/英） | 位相雑音 / phase noise |
| キーワード(4)（和/英） | 帰還回路 / feedback circuit |
| キーワード(5)（和/英） | 遅延 / delay |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 津留 正臣 / Masaomi Tsuru / ツル マサオミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷口 英司 / Eiji Taniguchi / タニグチ エイジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-05-29 09:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2015-28 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.66 |
| ページ範囲 | pp.43-47 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-05-21 (MW) |
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