講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-06-12 10:50
電荷生成消滅のためのマクスウェル方程式の拡張 ○武藤秀樹(リンク・リサーチ) EMT2015-3 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMT2015-3 |
抄録 |
(和) |
半導体中では光照射や熱励起によって電荷対の生成消滅が生じるが,この現象を扱うためにはマクスウェル方程式の拡張が必要になる.拡張方程式は量子電磁力学で導入された中西-ロートラップ場とほぼ等価な電荷生成消滅スカラー場を含む.マクスウェル方程式と拡張方程式による,光照射または熱励起されたシリコン球内外の電磁場の比較によって,拡張方程式の必要性が示される.拡張方程式では電荷生成消滅中心の閉じ込めが生じるために間接的に電荷が保存される.本モデルに基づくFDTD法を用いた,超高速半導体デバイスの電磁場の伝播を考慮した過渡解析デバイス・シミュレーションの例を示す. |
(英) |
Extension of Maxwell's equations is proposed to realize charge creation and annihilation. The proposed equations includes the charge creation-annihilation scalar field to be almost equivalent to Nakanishi-Lautrup field, which was introduced to construct Lorentz covariant electromagnetic field model for quantum electrodynamics. The necessity of the extension of Maxwell's equations is shown by the comparison of current values given by Maxwell's and the proposed equations in the simple structure consisting of a silicon sphere surrounded by SiO2. The charge conservation is caused by the confinement of charge creation-annihilation centers in the proposed model. Some analyses of electromagnetic field propagation in ultrahigh-speed semiconductor devices based on the proposed equations and FDTD method are reported. |
キーワード |
(和) |
マクスウェル方程式 / 電荷保存 / 中西ロートラップ場 / 電荷生成消滅 / 閉じ込め / / / |
(英) |
Maxwell's equations / charge conservation / Nakanishi-Lautrup field / charge creation / confinement / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 83, EMT2015-3, pp. 13-18, 2015年6月. |
資料番号 |
EMT2015-3 |
発行日 |
2015-06-05 (EMT) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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