お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2015-06-19 13:00
シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算
川内伸悟白川裕規洗平昌晃名大)・影島愽之島根大)・遠藤哲郎東北大)・白石賢二名大SDM2015-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-45
抄録 (和) なぜ高品質なSi/SiO2界面は熱酸化によって容易に形成されるのか。この疑問はシリコン技術の成功に密接に関係しているにもかかわらず、原子レベルで明らかにされていない。これまでに、Si熱酸化におけるSi放出モデルにおいて、熱酸化によってSiが自発的に放出されそのSi空孔にダングリングボンドが形成されることが知られている。本研究では第一原理計算を用いることにより、ダングリングボンドを水素分子で終端できることを明らかにした。この結果は熱酸化後の水素アニール工程によってダングリングボンドに起因する界面準位を低減することができることを示している。また、堆積法等の他技術に比べて、熱酸化法によって形成されたSi/SiO2界面が高品質である理由を示唆している。 
(英) Why is high-quality Si/SiO2 interface readily fabricated by simple thermal oxidation? Even though the question is closely related to the great success of silicon technology, the answer has not yet been clarified at the atomic level. In this study, we investigated hydrogen annealing effect in thermally-oxidized Si/SiO2 interface by the first-principles calculation method to reply the question. According to the Si-emission model of thermal oxidation, Si atoms are spontaneously emitted from the interface, leading to the lattice distortion and dangling bonds at the vacancies. We clarified that the interface states originating from the dangling bonds can be passivated by hydrogen terminations of Si atoms with dangling bonds. This means that the interface-state density can be decreased by hydrogen annealing after thermal oxidation. Our results rationalize the reason why the quality of Si/SiO2 interface formed by thermal oxidation is higher than that by the other technique such as CVD.
キーワード (和) 熱酸化 / Si/SiO2界面 / 第一原理計算 / / / / /  
(英) thermal-oxidation / Si/SiO2 interface / First-Principles Study / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-45, pp. 37-40, 2015年6月.
資料番号 SDM2015-45 
発行日 2015-06-12 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2015-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-45

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2015-06-19 - 2015-06-19 
開催地(和) 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2015-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) First-Principles Study on Hydrogen Annealing Effect in Si/SiO2 Interface by Thermal Oxidation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 熱酸化 / thermal-oxidation  
キーワード(2)(和/英) Si/SiO2界面 / Si/SiO2 interface  
キーワード(3)(和/英) 第一原理計算 / First-Principles Study  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 川内 伸悟 / Shingo Kawachi / カワチ シンゴ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 白川 裕規 / Hiroki Shirakawa / シラカワ ヒロキ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 洗平 昌晃 / Masaaki Araidai / アライダイ マサアキ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 影島 愽之 / Hiroyuki Kageshima / カゲシマ ヒロユキ
第4著者 所属(和/英) 島根大学 (略称: 島根大)
Shimane University (略称: Shimane Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 白石 賢二 / Kenji Shiraishi /
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2015-06-19 13:00:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2015-45 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.108 
ページ範囲 pp.37-40 
ページ数
発行日 2015-06-12 (SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会