講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-06-19 16:10
極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善 吉田啓資・○竹内正太郎・中村芳明・酒井 朗(阪大) SDM2015-53 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-53 |
抄録 |
(和) |
大気中、窒素雰囲気中、酸素雰囲気中において300ºC-500ºCの温度範囲で熱処理を施したAl2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板に対して、四探針型pseudo-MOSトランジスタ法を用いて電気特性評価を行った。400ºC熱処理を施した試料で、しきい値電圧の理想値からのずれがより改善し、反転モ-ドの回復の効果が現われた。特に、酸素雰囲気中で熱処理を施した試料において、しきい値電圧の理想値からのずれが最も減少し、蓄積モ-ドのキャリア移動度が最大となった。また、Ge膜厚が薄い試料において、しきい値電圧の理想値からのずれがさらに減少し、蓄積モ-ドと反転モ-ドでのキャリア移動度が増加した。 |
(英) |
The electrical properties of wafer-bonded germanium (001)-on-insulator (Ge (001)-OI) substrates with Al2O3/SiO2 hybrid buried oxide (BOX) post-annealed in various ambiences at 300-500ºC were investigated using the four-point probe pseudo-metal-oxide-semiconductor field effect transistor (pseudo-MOSFET) method. After post-annealing, both accumulation and inversion modes of transistor operation were observed with hysteresis in the channel conductance versus gate voltage curves. The threshold voltage shift from the ideal threshold voltage (~0 V) caused by interface defects was improved. The GeOI substrates post-annealed in an O2 ambience at 400ºC showed the improvement most remarkably. |
キーワード |
(和) |
MOSFET / Al2O3 / germanium-on-insulator (GeOI) / / / / / |
(英) |
MOSFET / Al2O3 / germanium-on-insulator (GeOI) / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-53, pp. 81-86, 2015年6月. |
資料番号 |
SDM2015-53 |
発行日 |
2015-06-12 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2015-53 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-53 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2015-06-19 - 2015-06-19 |
開催地(和) |
名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
開催地(英) |
VBL, Nagoya Univ. |
テーマ(和) |
MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) |
テーマ(英) |
Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2015-06-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Improvements of electrical properties of wafer-bonded GeOI substrates with ultrathin Al2O3/SiO2 hybrid BOX layers by post-annealing |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
MOSFET / MOSFET |
キーワード(2)(和/英) |
Al2O3 / Al2O3 |
キーワード(3)(和/英) |
germanium-on-insulator (GeOI) / germanium-on-insulator (GeOI) |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
吉田 啓資 / Keisuke Yoshida / ヨシダ ケイスケ |
第1著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
竹内 正太郎 / Shotaro Takeuchi / タケウチ ショウタロウ |
第2著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中村 芳明 / Yoshiaki Nakamura / ナカムラ ヨシアキ |
第3著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
酒井 朗 / Akira Sakai / サカイ アキラ |
第4著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第2著者 |
発表日時 |
2015-06-19 16:10:00 |
発表時間 |
20分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2015-53 |
巻番号(vol) |
vol.115 |
号番号(no) |
no.108 |
ページ範囲 |
pp.81-86 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2015-06-12 (SDM) |