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講演抄録/キーワード
講演名 2015-06-19 16:50
[依頼講演]原子薄膜の電気的極性可変トランジスタ
中払 周物質・材料研究機構)・飯島智彦小川真一八木克典原田直樹林 賢二郎近藤大雄高橋 慎産総研)・黎 松林山本真人林 彦甫物質・材料研究機構)・上野啓司埼玉大)・塚越一仁物質・材料研究機構)・佐藤信太郎横山直樹産総研SDM2015-55 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-55
抄録 (和) 原子1つまたは数個分の厚さしかないグラフェンやそれに類する原子薄膜の電気伝導体の新しいトランジスタ応用について我々の研究成果を報告する。特に、これらの材料に特有の性質を活かして、n型/p型のトランジスタ極性を電気的に制御しつつトランジスタ動作させる技術について、これまでのグラフェンを用いたものに加えて、最新の遷移金属カルコゲナイド系半導体におけるものについても報告する。 
(英) We report our recent works on our novel concept transistors on atomically-thin films graphene and similar semiconductors. Especially, a new kind of transistors in which transistor polarity (p- and n-type) was electrostatically controlled were developed by taking the advantages of atomically-thin films. Here we demonstrate fabrication and operation of such devices on graphene and a transition metal dichalcogenide semiconductor material.
キーワード (和) 原子薄膜 / グラフェン / 遷移金属カルコゲナイド / トランジスタ / 極性制御 / / /  
(英) atomically-thin film / graphene / transition metal dichalcogenide / transistor / polarity control / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-55, pp. 93-98, 2015年6月.
資料番号 SDM2015-55 
発行日 2015-06-12 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2015-55 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-55

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2015-06-19 - 2015-06-19 
開催地(和) 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
開催地(英) VBL, Nagoya Univ. 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2015-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 原子薄膜の電気的極性可変トランジスタ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electrostatically-controllable polarity of transistors on atomically-thin films 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 原子薄膜 / atomically-thin film  
キーワード(2)(和/英) グラフェン / graphene  
キーワード(3)(和/英) 遷移金属カルコゲナイド / transition metal dichalcogenide  
キーワード(4)(和/英) トランジスタ / transistor  
キーワード(5)(和/英) 極性制御 / polarity control  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中払 周 / Shu Nakaharai / ナカハライ シュウ
第1著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science (略称: NIMS)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 飯島 智彦 / Tomohiko Iijima / イイジマ トモヒコ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小川 真一 / Shinichi Ogawa / オガワ シンイチ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 八木 克典 / Katsunori Yagi / ヤギ カツノリ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 原田 直樹 / Naoki Harada / ハラダ ナオキ
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 賢二郎 / Kenjiro Hayashi / ハヤシ ケンジロウ
第6著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 近藤 大雄 / Daiyu Kondo / コンドウ ダイユウ
第7著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 慎 / Makoto Takahashi / タカハシ マコト
第8著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 黎 松林 / Songlin Li / リ ソンリン
第9著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science (略称: NIMS)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 真人 / Mahito Yamamoto / ヤマモト マヒト
第10著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science (略称: NIMS)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 彦甫 / Yen-Fu Lin / リン イェンフー
第11著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science (略称: NIMS)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 上野 啓司 / Keiji Ueno / ウエノ ケイジ
第12著者 所属(和/英) 埼玉大学 (略称: 埼玉大)
Saitama University (略称: Saitama Univ.)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 塚越 一仁 / Kazuhito Tsukagoshi / ツカゴシ カズヒト
第13著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science (略称: NIMS)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 信太郎 / Shintaro Sato / サトウ シンタロウ
第14著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 横山 直樹 / Naoki Yokoyama / ヨコヤマ ナオキ
第15著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-06-19 16:50:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2015-55 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.108 
ページ範囲 pp.93-98 
ページ数
発行日 2015-06-12 (SDM) 


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