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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-06-19 16:50 ［依頼講演］原子薄膜の電気的極性可変トランジスタ ○中払 周（物質・材料研究機構）・飯島智彦・小川真一・八木克典・原田直樹・林 賢二郎・近藤大雄・高橋 慎（産総研）・黎 松林・山本真人・林 彦甫（物質・材料研究機構）・上野啓司（埼玉大）・塚越一仁（物質・材料研究機構）・佐藤信太郎・横山直樹（産総研）  SDM2015-55 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-55 |
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| 抄録 | （和） | 原子１つまたは数個分の厚さしかないグラフェンやそれに類する原子薄膜の電気伝導体の新しいトランジスタ応用について我々の研究成果を報告する。特に、これらの材料に特有の性質を活かして、ｎ型／ｐ型のトランジスタ極性を電気的に制御しつつトランジスタ動作させる技術について、これまでのグラフェンを用いたものに加えて、最新の遷移金属カルコゲナイド系半導体におけるものについても報告する。 |
| （英） | We report our recent works on our novel concept transistors on atomically-thin films graphene and similar semiconductors. Especially, a new kind of transistors in which transistor polarity (p- and n-type) was electrostatically controlled were developed by taking the advantages of atomically-thin films. Here we demonstrate fabrication and operation of such devices on graphene and a transition metal dichalcogenide semiconductor material. | |
| キーワード | （和） | 原子薄膜 / グラフェン / 遷移金属カルコゲナイド / トランジスタ / 極性制御 / / / |
| （英） | atomically-thin film / graphene / transition metal dichalcogenide / transistor / polarity control / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-55, pp. 93-98, 2015年6月. | |
| 資料番号 | SDM2015-55 | |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-55 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-55 |
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