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| 講演名 | 2015-06-19 17:10 ［依頼講演］High-k/MetalゲートMoS2 MOSFETの試作と評価 ○森 貴洋（産総研）・二之宮成樹（横浜国大）・内田紀行・久保利隆（産総研）・渡辺英一郎・津谷大樹・森山悟士（物質・材料研究機構）・田中正俊（横浜国大）・安藤 淳（産総研）  SDM2015-56 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-56 |
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| 抄録 | （和） | 極薄ボディトランジスタとして注目を集めるMoS2 MOSFETを、high-k/metalゲートを適用し試作、評価した結果を紹介する。目下の課題は移動度を向上させることであり、その初手として移動度を低下させる散乱機構を実験的に検討することを試みた。散乱機構の検討には、実効移動度の評価が有用である。本報告では実効移動度評価に必要となるC-V測定を、面積の小さいMoS2 MOSFETで実施した結果を紹介し、測定上の問題点などを整理する。得られたC-V測定結果から実効移動度を試算した結果からは、MoS2 MOSFETにおいてラフネス散乱によって移動度が低下していることが示唆された。これを追認するように、STMによる表面観察ではnmオーダーの表面ラフネスが確認された。これらの結果は、表面ラフネスの低減によってMoS2 MOSFETの移動度が改善される可能性を示唆するものである。 |
| （英） | We report the device fabrication and characterization of the high-k/metal gate MoS2 MOSFETs. To investigate the scattering mechanism to be responsible for the mobility of MoS2 MOSFETs, the effective mobility has been estimated from the C-V and I-V curves. The difficulty of the estimation is on the C-V measurements because the device area is so small that fF-level capacitance measurement is required. We discuss a C-V measurement technique for such a small capacitance and clarify its problems. The estimated effective mobility curve indicated that surface roughness scattering notably affected the mobility. Furthermore, the scanning tunneling microscope image exhibited atomic scale roughness on the cleaved MoS2 surface. These results suggest that the surface roughness is responsible for the mobility in MoS2 MOSFETs. | |
| キーワード | （和） | VLSI / MOSFET / 遷移金属ダイカルコゲナイド / MoS2 / C-V測定 / / / |
| （英） | VLSI / MOSFET / Transition Metal Dichalcogenides / MoS2 / C-V measurements / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-56, pp. 99-103, 2015年6月. | |
| 資料番号 | SDM2015-56 | |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-56 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-56 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-06-19 - 2015-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | High-k/MetalゲートMoS2 MOSFETの試作と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and Characterization of MoS2 MOSFET with High-k/Metal Gate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | VLSI / VLSI |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | 遷移金属ダイカルコゲナイド / Transition Metal Dichalcogenides |
| キーワード(4)（和/英） | MoS2 / MoS2 |
| キーワード(5)（和/英） | C-V測定 / C-V measurements |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 貴洋 / Takahiro Mori / モリ タカヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 二之宮 成樹 / Naruki Ninomiya / ニノミヤ ナルキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： YNU) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 紀行 / Noriyuki Uchida / ウチダ ノリユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保 利隆 / Toshitaka Kubo / クボ トシタカ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 英一郎 / Eiichiro Watanabe / ワタナベ エイイチロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 津谷 大樹 / Daiju Tsuya / ツヤ ダイジュ |
| 第6著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森山 悟士 / Satoshi Moriyama / モリヤマ サトシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 正俊 / Masatoshi Tanaka / タナカ マサトシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： YNU) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安藤 淳 / Atsushi Ando / アンドウ アツシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-06-19 17:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-56 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.108 |
| ページ範囲 | pp.99-103 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) |
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