| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-06-19 09:30 ［依頼講演］Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価 ○谷田部然治・橋詰 保（北大）  SDM2015-38 |
|
| 抄録 | （和） | ドライエッチングをしたAlGaN上にAl2O3絶縁ゲート構造を作製し、絶縁膜/半導体界面の特性評価を行なった．評価には室温での容量－電圧（C-V）測定と任意の準位密度分布と電子放出時定数を考慮した数値計算とを組み合わせた手法により、伝導帯近傍の界面準位密度分布を求めた．また禁制帯中央近傍の準位密度評価には光支援C-V法を用いた．エッチングされたAlGaN面に形成した試料では、エッチングを行なわない場合と比較して、界面準位密度が増加することが明らかになり、AlGaN表面における原子層レベルのステップ、表面結晶欠陥などが、Al2O3/AlGaN界面の高密度電子準位の生成に関与している可能性が示唆された． |
| （英） | To characterize interface properties of Al2O3-insulated gates on AlGaN/GaN structures with and without (w/o) ICP etching of AlGaN surface, in this work, we compared the measured capacitance-voltage (C-V) characteristics with those calculated, considering interface states density at the Al2O3/AlGaN interface. As a complementary method, photo-assisted C-V method utilizing photons with energies less than the bandgap of GaN was also used to probe the interface states density located near the midgap of the AlGaN. It was found that the ICP etching of the AlGaN surface significantly increased the interface state density at the Al2O3/AlGaN interface. | |
| キーワード | （和） | Al2O3 / AlGaN/GaN / MOS / HEMT / 界面準位 / ドライエッチング / / |
| （英） | Al2O3 / AlGaN/GaN / MOS / HEMT / Interface state / Dry etching / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-38, pp. 1-4, 2015年6月. | |
| 資料番号 | SDM2015-38 | |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-38 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-06-19 - 2015-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interface states characterization of Al2O3/AlGaN/GaN structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(3)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(4)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | 界面準位 / Interface state |
| キーワード(6)（和/英） | ドライエッチング / Dry etching |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷田部 然治 / Zenji Yatabe / ヤタベ ゼンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-06-19 09:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-38 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.108 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]