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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-06-19 10:50 ［依頼講演］3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討 ○野口宗隆・岩松俊明・三浦成久・中田修平・山川 聡（三菱電機）  SDM2015-41 |
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| 抄録 | （和） | SiC には異なるバンドギャップを持つ、様々なポリタイプが存在し、異種ポリタイプ接合を用いたSiCデバイスの可能性が考えられる。本報告では、従来の4H-SiCのみから構成されるSiC MOSFETよりも、チャネル特性を向上し、耐圧を保持する素子構造の提案を目的とし、3C/4H 異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETについてシミュレーションによる検討を行った。3C/4H 異種ポリタイプ接合にはバンドオフセットに起因する抵抗が存在するため、これをトンネル電流にて低抵抗化するデバイス構造について調査した。その結果、3C/4H 異種ポリタイプ接合の間にそれらの中間のバンドギャップを持つ半導体層の導入が不可欠であり、不純物濃度設計が重要であることが判明した。 |
| （英） | SiliconCarbide (SiC) have different poly-types, which shows various energy bandgap. This suggests the possibility of SiC devices with different poly-types. In this study, SiC MOSFETs with junctions consisted of 3C- and 4H-SiC are simulated in order to propose the device structure which exhibit better channel properties than conventional 4H-SiC MOSFETs without any degradation of the breakdown voltage. There exist the resistance between 3C- and 4H-SiC, ascribe to the band offset between these. We connected 3C- and 4H-SiC by electron tunneling for suppressing the resistance between these. It is found that materials which exhibit energy bandgap between 3C- and 4H-SiC have to be inserted between 3C- and 4H-SiC. In addition, their impurity concentrations must be carefully designed. | |
| キーワード | （和） | SiC / 3C-SiC / 4H-SiC / ヘテロ接合 / トンネリング / 絶縁破壊 / オン抵抗 / 異種ポリタイプ |
| （英） | SiC / 3C-SiC / 4H-SiC / Hetero junction / Tunneling / breakdown / on resistance / different poly-type | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-41, pp. 17-20, 2015年6月. | |
| 資料番号 | SDM2015-41 | |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-41 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-06-19 - 2015-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of SiC MOSFETs with 3C/4H Different Poly-Type Junctions |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 3C-SiC / 3C-SiC |
| キーワード(3)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロ接合 / Hetero junction |
| キーワード(5)（和/英） | トンネリング / Tunneling |
| キーワード(6)（和/英） | 絶縁破壊 / breakdown |
| キーワード(7)（和/英） | オン抵抗 / on resistance |
| キーワード(8)（和/英） | 異種ポリタイプ / different poly-type |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 宗隆 / Muentaka Noguchi / ノグチ ムネタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩松 俊明 / Toshiaki Iwamatsu / イワマツ トシアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 成久 / Naruhisa Miura / ミウラ ナルヒサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中田 修平 / Shuhei Nakata / ナカタ シュウヘイ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山川 聡 / Satoshi Yamakawa / ヤマカワ サトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-06-19 10:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-41 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.108 |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) |
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