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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-06-19 11:30 ［依頼講演］SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 ○竹内和歌奈（名大）・山本建策（デンソー）・坂下満男（名大）・金村髙司（デンソー）・中塚 理・財満鎭明（名大）  SDM2015-43 |
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| 抄録 | （和） | SiO2/4H-SiC界面特性に対するNOガス雰囲気熱処理の効果を調べた。NOガス雰囲気熱処理MOSキャパシタ試料の電気特性はWet雰囲気熱処理とは異なる結果が得られた。NOガス雰囲気熱処理においては、正の固定電荷が存在し、Ei+1.5 eV (EC−0.1 eV)から伝導帯端に向けて界面準位密度が増大した。また、界面欠陥の性質はドナー型を示した。これらの結果から、NOガス雰囲気熱処理ではnチャネルMOSFETにおいてクーロン散乱の影響により、移動度が減少する可能性が示唆された。 |
| （英） | We have investigated the effect of NO-annealing for SiO2/4H-SiC interface properties. The electrical properties of the NO-annealed MOS capacitor sample are different from that of the wet-annealed sample. The NO-annealing generates positive charges in the insulator layer. The interface state density, Dit from Ei+1.5 eV (EC−0.1 eV) to an energy near the conduction band edge increases by NO-annealing. The type of Dit near the conduction band edge in the nitrided SiO2/SiC interface is identified as donor. It is considered that Coulomb scattering causes decreasing the n-channel mobility of the SiO2/ SiC interface by NO-annealing. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / 界面準位密度 / SiO2/SiC界面 / NOガス雰囲気熱処理 / / / / |
| （英） | 4H-SiC / interface state density / SiO2/SiC interface / NO-annealing / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-43, pp. 27-30, 2015年6月. | |
| 資料番号 | SDM2015-43 | |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-43 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-06-19 - 2015-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of oxynitridation annealing on defect properties at SiO2/SiC MOS interface |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 界面準位密度 / interface state density |
| キーワード(3)（和/英） | SiO2/SiC界面 / SiO2/SiC interface |
| キーワード(4)（和/英） | NOガス雰囲気熱処理 / NO-annealing |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 建策 / Kensaku Yamamoto / ヤマモト ケンサク |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社デンソー (略称： デンソー) DENSO CORPORATION (略称： DENSO CORP.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金村 髙司 / Takashi Kanemura / カネムラ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社デンソー (略称： デンソー) DENSO CORPORATION (略称： DENSO CORP.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-06-19 11:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-43 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.108 |
| ページ範囲 | pp.27-30 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) |
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