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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-06-19 15:50 Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process ○Keisuke Kado・Mutsunori Uenuma・Kyouhei Nabesaka・Kriti Sharma・Haruka Yamazaki・Satoshi Urakawa・Mami Fujii・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka（NAIST）  SDM2015-52 |
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| 抄録 | （和） | 酸化物薄膜トランジスタ (TFT) は低オフリークで高性能であるため，ディスプレイの駆動チャネル材料として有望であり，同一パネル上へのロジック回路及びメモリ素子を搭載したシステムオンパネル (SoP) 化による多機能化が期待されている．本研究は，a-IGZO膜を抵抗変化材料として用いたSoP用途不揮発性メモリ素子において，書込み時にIGZO膜内に形成される導電性フィラメントの挙動と熱の関係を調査した．メモリ動作と同時に発熱解析を行い，メモリのスイッチング動作に対応した発熱領域を確認した．特にメモリ素子がOff状態 (RESET) にスイッチングする時により顕著に発熱が観察された．この結果より，フィラメントの崩壊にはジュール熱が関与することが示された． |
| （英） | a-InGaZnO based non-volatile memories were fabricated as resistive random access memory (ReRAM) for use in System on Panel (SoP) technology. These devices were studied in order to reveal the operation mechanism. Local heat produced by an electrical path inside the memory was detected and imaged by the novel method “Thermal Analysis”. It turned out that the visualized heat spots were conductive filaments (CFs) formed between interlayers of Pt/a-IGZO. This method indicated that there was a lot of emitted heat when the memory cell was switched off. It is thought to be accumulated heat causing the disruption of CFs. | |
| キーワード | （和） | 発熱解析 / a-InGaZnO / 抵抗変化 / ReRAM / 導電性フィラメント / / / |
| （英） | Thermal analysis / InGaZnO / Resistive switching / ReRAM / Conductive filament / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-52, pp. 75-80, 2015年6月. | |
| 資料番号 | SDM2015-52 | |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-52 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-06-19 - 2015-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-06-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 発熱解析 / Thermal analysis |
| キーワード(2)（和/英） | a-InGaZnO / InGaZnO |
| キーワード(3)（和/英） | 抵抗変化 / Resistive switching |
| キーワード(4)（和/英） | ReRAM / ReRAM |
| キーワード(5)（和/英） | 導電性フィラメント / Conductive filament |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 門 圭佑 / Keisuke Kado / カド ケイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上沼 睦典 / Mutsunori Uenuma / ウエヌマ ムツノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鍋坂 恭平 / Kyouhei Nabesaka / ナベサカ キョウヘイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | クリティ シャーマ / Kriti Sharma / |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山﨑 はるか / Haruka Yamazaki / ヤマザキ ハルカ |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦川 哲 / Satoshi Urakawa / ウラカワ サトシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 茉美 / Mami Fujii / フジイ マミ |
| 第7著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa / イシカワ ヤスアキ |
| 第8著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第9著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-06-19 15:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-52 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.108 |
| ページ範囲 | pp.75-80 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) |
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