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講演抄録/キーワード
講演名
2015-07-24 14:05
リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング
○
美濃浦優一
・
岡本直哉
・
多木俊裕
・
尾崎史朗
・
牧山剛三
・
鎌田陽一
・
渡部慶二
(
富士通研
)
ED2015-38
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
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(英)
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文献情報
信学技報, vol. 115, no. 156, ED2015-38, pp. 9-13, 2015年7月.
資料番号
ED2015-38
発行日
2015-07-17 (ED)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード
ED2015-38
研究会情報
研究会
ED
開催期間
2015-07-24 - 2015-07-25
開催地(和)
ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町)
開催地(英)
IT Business Plaza Musashi 5F
テーマ(和)
半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般
テーマ(英)
Semiconductor Processes and Devices
講演論文情報の詳細
申込み研究会
ED
会議コード
2015-07-ED
本文の言語
日本語
タイトル(和)
リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Low Damage Dry Etching for Recessed Gate AlGaN/GaN-HEMTs
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
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キーワード(4)(和/英)
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キーワード(5)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
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キーワード(8)(和/英)
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
美濃浦 優一
/
Yuichi Minoura
/
ミノウラ ユウイチ
第1著者 所属(和/英)
株式会社富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Labs.
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
岡本 直哉
/
Naoya Okamoto
/
オカモト ナオヤ
第2著者 所属(和/英)
株式会社富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Labs.
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
多木 俊裕
/
Toshihiro Ohki
/
オオキ トシヒロ
第3著者 所属(和/英)
株式会社富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Labs.
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
尾崎 史朗
/
Shiro Ozaki
/
オザキ シロウ
第4著者 所属(和/英)
株式会社富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Labs.
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
牧山 剛三
/
Kozo Makiyama
/
マキヤマ コウゾウ
第5著者 所属(和/英)
株式会社富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Labs.
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
鎌田 陽一
/
Yoichi Kamada
/
カマダ ヨウイチ
第6著者 所属(和/英)
株式会社富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Labs.
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
渡部 慶二
/
Keiji Watanabe
/
ワタナベ ケイジ
第7著者 所属(和/英)
株式会社富士通研究所
(略称:
富士通研
)
Fujitsu Laboratories Ltd.
(略称:
Fujitsu Labs.
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第8著者 所属(和/英)
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第9著者 所属(和/英)
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第10著者 所属(和/英)
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第11著者 所属(和/英)
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第12著者 所属(和/英)
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第14著者 所属(和/英)
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第24著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第24著者 所属(和/英)
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第25著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第25著者 所属(和/英)
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第26著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第26著者 所属(和/英)
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第27著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第27著者 所属(和/英)
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第28著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第28著者 所属(和/英)
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第29著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第29著者 所属(和/英)
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第30著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第31著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第31著者 所属(和/英)
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第32著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第32著者 所属(和/英)
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第33著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第33著者 所属(和/英)
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第34著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第34著者 所属(和/英)
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第35著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第35著者 所属(和/英)
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第36著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第36著者 所属(和/英)
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講演者
第1著者
発表日時
2015-07-24 14:05:00
発表時間
25分
申込先研究会
ED
資料番号
ED2015-38
巻番号(vol)
vol.115
号番号(no)
no.156
ページ範囲
pp.9-13
ページ数
5
発行日
2015-07-17 (ED)
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