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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-07-25 11:05 AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性 ○竹鶴達哉・藤川紗千恵・原田義彬・鈴木浩基・磯野恭佑・加藤三四郎・辻 大介・藤代博記（東京理科大）  ED2015-45 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-45 |
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| 抄録 | （和） | MBE法を用いて成長させたGaAs (100) 基板上InSb量子井戸構造の電子輸送特性向上のため、新たなAlInSbバッファ層を用いたInSb-QW構造を作製した。Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sbステップバッファ層を導入することで、圧縮歪低減と表面平坦性の改善が得られInSb量子井戸構造において電子移動度向上に成功した。さらに、Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sbステップバッファ層におけるAl0.25In0.75Sb層膜厚と電子移動度の関係ついても調査した。その結果、Al0.25In0.75Sb層が臨界膜厚以内のときに電子移動度の向上が得られた。 |
| （英） | We investigated a high quality novel AlInSb buffer layer to increase the electron mobility of an InSb quantum well (QW) structure, which was grown on a (100) GaAs substrate by molecular beam epitaxy. We achieved high electron mobility in the InSb QW structure using an Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer and realized reduced compressive strain and improved surface roughness. In addition, we investigated the dependence of the Al0.25In0.75Sb layer thickness in the Al0.25In0.75Sb/ Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer on the electron mobility characteristics. We only obtained increased electron mobility using the Al0.25In0.75Sb layer within a critical thickness range. | |
| キーワード | （和） | MBE / InSb / HEMT / AlInSb / GaAs / 電子移動度 / 有効質量 / 歪 |
| （英） | MBE / InSb / HEMT / AlInSb / GaAs / electron mobility / effective mass / strain | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 156, ED2015-45, pp. 45-49, 2015年7月. | |
| 資料番号 | ED2015-45 | |
| 発行日 | 2015-07-17 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-45 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-45 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2015-07-24 - 2015-07-25 |
| 開催地（和） | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) |
| 開催地（英） | IT Business Plaza Musashi 5F |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Processes and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2015-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electron transport characteristics of strain reduced InSb QW structure with AlInSb stepped buffer layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(2)（和/英） | InSb / InSb |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | AlInSb / AlInSb |
| キーワード(5)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(6)（和/英） | 電子移動度 / electron mobility |
| キーワード(7)（和/英） | 有効質量 / effective mass |
| キーワード(8)（和/英） | 歪 / strain |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹鶴 達哉 / Tatsuya Taketsuru / タケツル タツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤川 紗千恵 / Sachie Fujikawa / フジカワ サチエ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原田 義彬 / Yoshiaki Harada / ハラダ ヨシアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 浩基 / Hiroki Suzuki / スズキ ヒロキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 磯野 恭佑 / Kyousuke Isono / イソノ キョウスケ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 三四郎 / Sanshiro Kato / カトウ サンシロウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辻 大介 / Daisuke Tuji / ツジ ダイスケ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤代 博記 / Hiroki I. Fujishiro / フジシロ ヒロキ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-07-25 11:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-45 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.156 |
| ページ範囲 | pp.45-49 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-07-17 (ED) |
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