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講演抄録/キーワード
講演名 2015-08-10 13:20
レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上SiC薄膜の作製と評価
目黒一煕成田舜基・○中澤日出樹弘前大CPM2015-31 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2015-31
抄録 (和) AlN/Si(110)基板上にSiC低温バッファ層を形成後、その層上にレーザーアブレーション法により基板温度およびレーザー強度を変化させてSiC薄膜を作製した。AlNターゲットおよび窒素ガスを用いたレーザーアブレーション法によりSi(110)基板上にAlN(0001)薄膜を形成し、その上にモノメチルシラン(CH_{3}SiH_{3})を用いた超低圧CVD法により650℃ でSiC低温バッファ層を形成した。基板温度900~1000℃で3C-SiC(111)薄膜の結晶性は良好になり、1000℃よりも高い基板温度では、結晶性および表面モフォロジーが劣化した。また、レーザー強度が150~200 mJ/pulseのとき結晶性が最も良好になることがわかった。 
(英) We have formed a SiC interfacial buffer layer on AlN/Si(110) substrates at a low temperature, and grew SiC films on the low-temperature buffer layer by pulsed laser deposition at various substrate temperatures and laser powers. AlN(0001) layers were grown on Si(110) substrates by pulsed laser deposition using an AlN target and a N_{2} gas, and then the buffer layers were formed on the AlN layers at 650℃ by ultralow-pressure CVD using monomethylsilane (CH_{3}SiH_{3}). The crystallinity and surface morphology of the 3C-SiC(111) films were improved at growth temperatures of 900 to 1000℃, whereas those of the films grown at above 1000℃ were degraded. The films grown at laser powers of 150 to 200 mJ/pulse showed the best crystallinity under present conditions.
キーワード (和) 炭化ケイ素 / 窒化アルミニウム / Si(110) / レーザーアブレーション / / / /  
(英) Silicon carbide / Aluminum nitride / Si(110) / Pulsed laser deposition / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 179, CPM2015-31, pp. 1-5, 2015年8月.
資料番号 CPM2015-31 
発行日 2015-08-03 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2015-31 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2015-31

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2015-08-10 - 2015-08-11 
開催地(和) 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子部品・材料、一般(弘前大学電子情報工学科) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2015-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上SiC薄膜の作製と評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Preparation and characterization of SiC thin films on AlN/Si(110) substrates by pulsed laser deposition 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 炭化ケイ素 / Silicon carbide  
キーワード(2)(和/英) 窒化アルミニウム / Aluminum nitride  
キーワード(3)(和/英) Si(110) / Si(110)  
キーワード(4)(和/英) レーザーアブレーション / Pulsed laser deposition  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 目黒 一煕 / Kazuki Meguro / メグロ カズキ
第1著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 成田 舜基 / Shunki Narita / ナリタ シュンキ
第2著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ
第3著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
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講演者 第3著者 
発表日時 2015-08-10 13:20:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2015-31 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.179 
ページ範囲 pp.1-5 
ページ数
発行日 2015-08-03 (CPM) 


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