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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-08-10 14:00 レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上へのSiC成長 ○成田舜基・目黒一煕・中澤日出樹（弘前大）  CPM2015-33 |
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| 抄録 | （和） | AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi(110)基板上にAlN層を形成し、結晶性および表面モフォロジーを調べた。レーザー強度200 mJ/pulseでSi(110)基板上に作製したAlN薄膜は回転ドメインを含まず、結晶性および平坦性が優れていることがわかった。また、レーザー強度200 mJ/pulseで成長したAlN層上にモノメチルシラン(CH3SiH3)を用いてSiC低温バッファ層を形成し、さらにその上にSiCターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSiC薄膜を作製した。レーザー強度200 mJ/pulse で作製したAlN層上に成長したSiC薄膜は3C-SiC(111)3×3再配列構造を示すことがわかった。 |
| （英） | We have grown aluminum nitride (AlN) films on Si(110) substrate by pulsed laser deposition using an AlN target, and investigated the crystallinity and surface morphology of the films. We obtained the AlN layer with the good crystallinity and surface morphology at a laser intensity of 200 mJ/pulse. We formed a SiC interfacial buffer layer on the AlN layer grown at 200 mJ/pulse by ultralow-pressure chemical vapor deposition using monomethylsilane (CH3SiH3), and grew a SiC film on the low-temperature buffer layer by pulsed laser deposition using a SiC target. It was found that the SiC film grown on the buffer layer exhibit a 3C-SiC(111)3x3 reconstructed surface. | |
| キーワード | （和） | シリコンカーバイド / 窒化アルミニウム / レーザーアブレーション / / / / / |
| （英） | Silicon carbide / Aluminum nitride / Pulsed laser deposition / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 179, CPM2015-33, pp. 11-14, 2015年8月. | |
| 資料番号 | CPM2015-33 | |
| 発行日 | 2015-08-03 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2015-33 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2015-08-10 - 2015-08-11 |
| 開催地（和） | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料、一般（弘前大学電子情報工学科） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2015-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上へのSiC成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of epitaxial SiC thin films on AlN/Si(110) substrates by pulsed laser deposition |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンカーバイド / Silicon carbide |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化アルミニウム / Aluminum nitride |
| キーワード(3)（和/英） | レーザーアブレーション / Pulsed laser deposition |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 成田 舜基 / Shunki Narita / ナリタ シュンキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 目黒 一煕 / Kazuki Meguro / メグロ カズキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-08-10 14:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2015-33 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.179 |
| ページ範囲 | pp.11-14 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-08-03 (CPM) |
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