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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-08-11 11:20 Radical-Enhanced ALD法によって形成したAlジャーマネイト/Ge界面とその近傍の欠陥評価 ○成田英史（弘前大）・山田大地・福田幸夫（諏訪東京理科大）・鹿糠洋介・岡本 浩（弘前大）  CPM2015-44 |
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| 抄録 | （和） | 次世代のC-MOSデバイスの候補としてGe-MIS構造が注目されているが、界面の品質向上が課題とされている。われわれはこれまでECR (Electron Cyclotron Resonance)プラズマ法やRadical-Enhanced ALD (atomic layer deposition)法(RE-ALD法)と成膜後の熱処理によって界面準位密度の低いMIS構造が作製できることを報告してきた。本報告では、RE-ALD法によって形成し、熱処理を行っていないAl$_2$O$_3$/(Alジャーマネイト)/Ge試料についてコンダクタンス法評価とDLTS (Deep Level Transient Spectroscopy)法評価を行った結果を述べる。成膜後に熱処理を行わない場合でも低い界面準位密度が得られていることが確認された。 |
| （英） | A Ge-MIS structure has attracted the attention for the candidate of a next generation device. However, improvement of the interface quality is still an important subject for this structure. To date, we have successfully developed Ge-MIS structures with superior interface qualities by ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma techniques and RE (Radical-Enhanced)-ALD (atomic layer deposition) followed by annealing. In this report, we have evaluated RE-ALD Al$_2$O$_3$/ (Al-germanate) /Ge structures without annealing by conductance technique and DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) method. We have found that the structure has low interface state density without annealing process. | |
| キーワード | （和） | Ge-MIS / RE-ALD / 界面準位 / コンダクタンス法 / DLTS / / / |
| （英） | Ge-MIS / RE-ALD / Interface State / Conductance Technique / DLTS / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 179, CPM2015-44, pp. 67-70, 2015年8月. | |
| 資料番号 | CPM2015-44 | |
| 発行日 | 2015-08-03 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2015-44 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2015-08-10 - 2015-08-11 |
| 開催地（和） | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料、一般（弘前大学電子情報工学科） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2015-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Radical-Enhanced ALD法によって形成したAlジャーマネイト/Ge界面とその近傍の欠陥評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of interface and near-interface traps in Al-germanate/Ge structure fabricated by Radical-Enhanced ALD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge-MIS / Ge-MIS |
| キーワード(2)（和/英） | RE-ALD / RE-ALD |
| キーワード(3)（和/英） | 界面準位 / Interface State |
| キーワード(4)（和/英） | コンダクタンス法 / Conductance Technique |
| キーワード(5)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 成田 英史 / Hidefumi Narita / ナリタ ヒデフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 大地 / Daichi Yamada / ヤマダ ダイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 諏訪東京理科大学 (略称： 諏訪東京理科大) Tokyo University of Science, Suwa (略称： Tokyo Univ. of Science, Suwa) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 幸夫 / Yukio Fukuda / フクダ ユキオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 諏訪東京理科大学 (略称： 諏訪東京理科大) Tokyo University of Science, Suwa (略称： Tokyo Univ. of Science, Suwa) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鹿糠 洋介 / Yosuke Kanuka / カヌカ ヨウスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 浩 / Hiroshi Okamoto / オカモト ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-08-11 11:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2015-44 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.179 |
| ページ範囲 | pp.67-70 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-08-03 (CPM) |
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