講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-08-11 09:40
ラジカル反応を用いたHfNx膜の低温作製 ○佐藤 勝・武山真弓・野矢 厚(北見工大) CPM2015-40 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2015-40 |
抄録 |
(和) |
Cuを用いたシリコン貫通ビアに適用可能な拡散バリヤとして、スパッタにホットワイヤによるラジカル反応を組み合わせた手法を用いて基板加熱なしの状態でHfNx膜を作製することができた。本手法により低温作製されたHfNx膜は、反応性スパッタ法では成膜が難しいとされるHf3N2相のみを形成できることがわかった。また、この5nm厚のHf3N2膜は、500℃まで安定であり、Cuの拡散や下地SiO2との酸化・還元反応を抑制させることが可能な優れたバリヤ特性を示すことがわかった。本手法を用いることで、3次元集積回路のシリコン貫通ビア配線に求められる拡散バリヤの低温成膜が可能となり、かつ有用なバリヤとなることが知られた。 |
(英) |
We have demonstrated the preparation of a low-temperature deposited HfNx film as a diffusion barrier applicable to the Cu-through-silicon-via. The sputter-deposition of Hf film without substrate heating and the subsequent radical-assisted surface nitridation reaction successfully form a thin film of Hf3N2 in single phase, which hardly obtain by reactive sputtering so far. The obtained 5 nm-thick Hf3N2 film in this phase is actually stable at the temperatures up to 500 °C, and shows excellent barrier properties between Cu and SiO2. |
キーワード |
(和) |
シリコン貫通ビア / 拡散バリヤ / スパッタ / ラジカル反応 / HfNx膜 / / / |
(英) |
through silicon via / diffusion barrier / sputtering / radical-assisted surface nitridation reaction / HfNx film / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 179, CPM2015-40, pp. 47-50, 2015年8月. |
資料番号 |
CPM2015-40 |
発行日 |
2015-08-03 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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