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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-08-24 10:20 半断線ビア抵抗を検出するためのスクライブライン搭載アレイTEG技術の開発 ○新川田裕樹・坪井信生（ルネサス エレクトロニクス）・津田淳史（ルネサス システムデザイン）・佐藤伸吾（関西大）・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2015-58 ICD2015-27 |
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| 抄録 | （和） | 量産段階での活用を目指した狭いスクライブライン領域に搭載可能なアレイTEGを開発した。HSD-S(High sensitivity-Screening and Detection-decoder test structure in Scribe line)と名付けたアレイTEGを用い、40nm CMOS技術において試作した結果、通常のビア抵抗に比べ約160倍の抵抗上昇を示す半断線不良素子を検出し、位置同定を行った。本報告ではTEG構成、不良検出方法を述べ、半断線ビア検出結果、解析結果を紹介する。 |
| （英） | We introduce a new addressable test structure array using for mass production stage which is compacted doubly nesting array into Narrow Scribe Line which named as High sensitivity-Screening and Detection-decoder test structure in Scribe line (HSD-S). Abnormally high resistance as a soft failure via was detected and located in a 40nm CMOS technology. We captured a soft failure bit which had a high resistance via exhibiting over 160 times larger one. | |
| キーワード | （和） | スクライブライン / アレイTEG / 半断線 / BEOL / ビア抵抗 / 歩留 / / |
| （英） | Scribe line / array structure / soft failure / Back End Of Line / interconnect via / variability / yield / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 190, SDM2015-58, pp. 7-10, 2015年8月. | |
| 資料番号 | SDM2015-58 | |
| 発行日 | 2015-08-17 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-58 ICD2015-27 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD |
| 開催期間 | 2015-08-24 - 2015-08-25 |
| 開催地（和） | 熊本市 |
| 開催地（英） | Kumamoto City |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-08-SDM-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 半断線ビア抵抗を検出するためのスクライブライン搭載アレイTEG技術の開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of a compacted doubly nesting array in Narrow Scribe Line aimed at detecting soft failures of interconnect via |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | スクライブライン / Scribe line |
| キーワード(2)（和/英） | アレイTEG / array structure |
| キーワード(3)（和/英） | 半断線 / soft failure |
| キーワード(4)（和/英） | BEOL / Back End Of Line |
| キーワード(5)（和/英） | ビア抵抗 / interconnect via |
| キーワード(6)（和/英） | 歩留 / variability |
| キーワード(7)（和/英） | / yield |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新川田 裕樹 / Hiroki Shinkawata / シンカワタ ヒロキ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： REL) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坪井 信生 / Nobuo Tsuboi / ツボイ ノブオ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： REL) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 津田 淳史 / Atsushi Tsuda / ツダ アツシ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサス システムデザイン株式会社 (略称： ルネサス システムデザイン) Renesas System Design Corporation (略称： RSD) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 伸吾 / Shingo Sato / サトウ シンゴ |
| 第4著者 所属（和/英） | 関西大学 (略称： 関西大) Kansai University (略称： Kansai) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 泰男 / Yasuo Yamaguchi / ヤマグチ ヤスオ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： REL) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-08-24 10:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-58, ICD2015-27 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.190(SDM), no.191(ICD) |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-08-17 (SDM, ICD) |
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