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講演抄録/キーワード
講演名 2015-08-27 14:15
[招待講演]Ga溶融バンプを用いたFluidic Self Assemblyによる異種材料集積化技術
前澤宏一中野 純柴田知明森田弘樹坂本 宙山田悟史森 雅之富山大R2015-28 EMD2015-36 CPM2015-52 OPE2015-67 LQE2015-36
抄録 (和) 異種材料デバイス集積技術は,これまで蓄積されてきた半導体ナノプロセス技術を新しいアプリケーション分野に展開するために重要な技術である.この最も有効な技術の一つにFluidic Self-Assembly (FSA) 技術がある.FSA 技術は,前もって作製した微小デバイスブロックを液体中に置いたホスト基板上に散布,配置していく技術である.非常に自由度の高い異種材料デバイス集積技術であり,他の技術に対して重要な利点がある.我々は,最近,溶液中で溶融したGa の表面張力を用いたFSA 技術を提案した.本稿では,我々の結果を中心にFSA 技術の特徴,その応用例とGa バンプの信頼性について述べる.また,今後の有望なアプリケーションとして,マイクロ波/ミリ波集積回路への応用について議論した. 
(英) Fluidic Self Assembly (FSA) is a most promising heterogeneous integration technique leading to new applications of semiconductor devices. The FSA is a highly exible technique, where scattered small device blocks are arranged into the recesses on the host substrate placed in fluid. Recently, we proposed a novele FSA employing capillary force of the molten Ga bumps. In this paper, we describe the features, applications, and the reliablity of the FSA based on our research. Moreover, application of this technique to micro/millimeter wave integrated circuits is discussed.
キーワード (和) 異種材料集積 / InP / InGaAs / uidic self assembly / 共鳴トンネルダイオード / / /  
(英) heterogeneous integration / InP / InGaAs / uidic self assembly / resonant tunneling diode / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 194, R2015-28, pp. 27-32, 2015年8月.
資料番号 R2015-28 
発行日 2015-08-20 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード R2015-28 EMD2015-36 CPM2015-52 OPE2015-67 LQE2015-36

研究会情報
研究会 CPM OPE LQE R EMD  
開催期間 2015-08-27 - 2015-08-28 
開催地(和) 青森県観光物産館アスパム 
開催地(英) Aomori-Bussankan-Asupamu 
テーマ(和) 光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 R 
会議コード 2015-08-CPM-OPE-LQE-R-EMD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Ga溶融バンプを用いたFluidic Self Assemblyによる異種材料集積化技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Heterogeneous Integration Technology Using Fluidic Self Assembly Based on Ga Molten Bumps 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 異種材料集積 / heterogeneous integration  
キーワード(2)(和/英) InP / InP  
キーワード(3)(和/英) InGaAs / InGaAs  
キーワード(4)(和/英) uidic self assembly / uidic self assembly  
キーワード(5)(和/英) 共鳴トンネルダイオード / resonant tunneling diode  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 前澤 宏一 / Koichi Maezawa / マエザワ コウイチ
第1著者 所属(和/英) 富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. Toyama)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中野 純 / Jun Nakano / ナカノ ジュン
第2著者 所属(和/英) 富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. Toyama)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 柴田 知明 / Tomoaki Shibata / シバタト モアキ
第3著者 所属(和/英) 富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. Toyama)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 森田 弘樹 / Hiroki Morita / モリタ ヒロキ
第4著者 所属(和/英) 富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. Toyama)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂本 宙 / Hiroshi Sakamoto / サカモト ヒロシ
第5著者 所属(和/英) 富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. Toyama)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 悟史 / Satoshi Yamada / ヤマダ サトシ
第6著者 所属(和/英) 富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. Toyama)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 雅之 / Masayuki Mori / モリ マサユキ
第7著者 所属(和/英) 富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. Toyama)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-08-27 14:15:00 
発表時間 35分 
申込先研究会 R 
資料番号 R2015-28, EMD2015-36, CPM2015-52, OPE2015-67, LQE2015-36 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.194(R), no.195(EMD), no.196(CPM), no.197(OPE), no.198(LQE) 
ページ範囲 pp.27-32 
ページ数
発行日 2015-08-20 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) 


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