講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-08-27 11:00
ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現 ○山﨑はるか・石河泰明・藤井茉美・ジョアン パウロ ベルムンド(奈良先端大)・高橋英治・安東靖典(日新電機)・浦岡行治(奈良先端大) R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32 |
抄録 |
(和) |
近年、透明アモルファス酸化物半導体であるa-InGaZnO (a-IGZO)を用いた薄膜トランジスタ(TFT)は、次世代のディスプレイ用駆動素子として位置づけられ注目されている。しかし実動作環境下においてa-IGZO TFTの電気特性の劣化という信頼性についての問題が盛んに議論されている。我々は、絶縁膜材料にフッ素を含有させることで正方向電圧ストレス条件下における信頼性を改善することに成功した。本発表では絶縁膜と半導体層の界面に着目し結合状態の解析を行うことでフッ素の挙動の検証と、信頼性改善のメカニズムを明らかにすることを目的とする。 |
(英) |
Considerable attention has been paid to amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) as peripheral circuits for displays. However, achieving highly reliable a-IGZO TFTs continues to be a serious challenge. We propose a-IGZO TFTs with a fluorinated silicon nitride (SiNx:F) gate insulator (GI) which showed good reliability against positive bias temperature stress (PBTS) compared with those with thermally oxidized SiO2 GIs. From the result of X-ray photoelectron spectroscopy analysis, the fluorine in SiNx:F formed a bonding state with indium at the interface between SiNx:F and a-IGZO. Here we report a reliability-improvement mechanism using SiNx:F GIs. |
キーワード |
(和) |
薄膜トランジスタ / a-IGZO / ゲート絶縁膜 / 信頼性 / フッ素 / / / |
(英) |
thin-film transistor / a-IGZO / gate insulator / reliability / fluorine / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 194, R2015-24, pp. 9-11, 2015年8月. |
資料番号 |
R2015-24 |
発行日 |
2015-08-20 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32 |
研究会情報 |
研究会 |
CPM OPE LQE R EMD |
開催期間 |
2015-08-27 - 2015-08-28 |
開催地(和) |
青森県観光物産館アスパム |
開催地(英) |
Aomori-Bussankan-Asupamu |
テーマ(和) |
光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
R |
会議コード |
2015-08-CPM-OPE-LQE-R-EMD |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Highly reliable a-InGaZnO thin-film transistors with fluorine in a gate insulator |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
薄膜トランジスタ / thin-film transistor |
キーワード(2)(和/英) |
a-IGZO / a-IGZO |
キーワード(3)(和/英) |
ゲート絶縁膜 / gate insulator |
キーワード(4)(和/英) |
信頼性 / reliability |
キーワード(5)(和/英) |
フッ素 / fluorine |
キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山﨑 はるか / Haruka Yamazaki / ヤマザキ ハルカ |
第1著者 所属(和/英) |
奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara institute of science and technology (略称: NAIST) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa / イシカワ ヤスアキ |
第2著者 所属(和/英) |
奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara institute of science and technology (略称: NAIST) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
藤井 茉美 / Mami Fujii / フジイ マミ |
第3著者 所属(和/英) |
奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara institute of science and technology (略称: NAIST) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
ジョアン パウロ ベルムンド / Juan Paolo Bermundo / ジョアン パウロ ベルムンド |
第4著者 所属(和/英) |
奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara institute of science and technology (略称: NAIST) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
高橋 英治 / Eiji Takahashi / タカハシ エイジ |
第5著者 所属(和/英) |
日新電機株式会社 (略称: 日新電機)
Nissin Electric Co.,Ltd (略称: Nissin Electric) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
安東 靖典 / Yasunori Andoh / アンドウ ヤスノリ |
第6著者 所属(和/英) |
日新電機株式会社 (略称: 日新電機)
Nissin Electric Co.,Ltd (略称: Nissin Electric) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
第7著者 所属(和/英) |
奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara institute of science and technology (略称: NAIST) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 所属(和/英) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 所属(和/英) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2015-08-27 11:00:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
R |
資料番号 |
R2015-24, EMD2015-32, CPM2015-48, OPE2015-63, LQE2015-32 |
巻番号(vol) |
vol.115 |
号番号(no) |
no.194(R), no.195(EMD), no.196(CPM), no.197(OPE), no.198(LQE) |
ページ範囲 |
pp.9-11 |
ページ数 |
3 |
発行日 |
2015-08-20 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
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