講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-10-09 11:55
Nb/Al/AlOx/Al/Nb接合の評価および解析 ○池谷瑞基(電通大)・小嶋崇文・野口 卓(国立天文台)・酒井 剛(電通大) SCE2015-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:SCE2015-34 |
抄録 |
(和) |
我々はALMA (Atacama Large Millimeter/submillimeter Array)望遠鏡受信機のアップグレードの1つとして、超広帯域受信機の研究開発を行っている。そのためには受信機の核であるSIS(Superconductor/Insulator/Superconductor)ミキサの高臨界電流密度化が必須であるが、それに伴った極めて薄い絶縁層の成膜は難しい。特に上部電極Nbの成膜時に生じるNbの低級酸化物によってリーク電流が増加することが懸念されている。本研究では、Nbの低級酸化物の生成を抑制するため、従来のNb/Al/AlOx/Nb接合の絶縁層上にAl層を追加した。その結果、静特性のギャップ内において従来と比べてリーク電流の低減を確認した。また、静特性について数値計算によるフィッティングを行い、従来構造におけるリーク電流の要因を解析したので報告する。 |
(英) |
We are developing an ultra-wideband receiver for upgrading ALMA (Atacama Large Millimeter/submillimeter Array) receivers. In the development, Superconductor/Insulator/Superconductor (SIS) mixer with high critical current density is most important component. However it is difficult to fabricate it so that an insulator layer is very thin and likely to be with defects. In conventional structure Nb/Al/AlOx/Nb, leakage current could be increased by producing lower Nb Oxide on insulator when sputtering counter Nb layer. So Nb/Al/AlOx/Al/Nb junctions are adopted to reduce leakage current. The measured I-V characteristics showed that leakage current of the junction with an upper Al layer was small when compared to the junction without the upper Al layer. The gap voltage and leakage current degraded as the increase of thickness of the upper Al layer. Analysis about leakage current by fitting I-V characteristics are reported. |
キーワード |
(和) |
SIS接合 / Nb / Al / / / / / |
(英) |
SIS Junctions / Niobium / Al / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 242, SCE2015-34, pp. 75-79, 2015年10月. |
資料番号 |
SCE2015-34 |
発行日 |
2015-10-01 (SCE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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