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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-10-09 11:55 Nb/Al/AlOx/Al/Nb接合の評価および解析 ○池谷瑞基（電通大）・小嶋崇文・野口 卓（国立天文台）・酒井 剛（電通大）  SCE2015-34 |
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| 抄録 | （和） | 我々はALMA (Atacama Large Millimeter/submillimeter Array)望遠鏡受信機のアップグレードの1つとして、超広帯域受信機の研究開発を行っている。そのためには受信機の核であるSIS(Superconductor/Insulator/Superconductor)ミキサの高臨界電流密度化が必須であるが、それに伴った極めて薄い絶縁層の成膜は難しい。特に上部電極Nbの成膜時に生じるNbの低級酸化物によってリーク電流が増加することが懸念されている。本研究では、Nbの低級酸化物の生成を抑制するため、従来のNb/Al/AlOx/Nb接合の絶縁層上にAl層を追加した。その結果、静特性のギャップ内において従来と比べてリーク電流の低減を確認した。また、静特性について数値計算によるフィッティングを行い、従来構造におけるリーク電流の要因を解析したので報告する。 |
| （英） | We are developing an ultra-wideband receiver for upgrading ALMA (Atacama Large Millimeter/submillimeter Array) receivers. In the development, Superconductor/Insulator/Superconductor (SIS) mixer with high critical current density is most important component. However it is difficult to fabricate it so that an insulator layer is very thin and likely to be with defects. In conventional structure Nb/Al/AlOx/Nb, leakage current could be increased by producing lower Nb Oxide on insulator when sputtering counter Nb layer. So Nb/Al/AlOx/Al/Nb junctions are adopted to reduce leakage current. The measured I-V characteristics showed that leakage current of the junction with an upper Al layer was small when compared to the junction without the upper Al layer. The gap voltage and leakage current degraded as the increase of thickness of the upper Al layer. Analysis about leakage current by fitting I-V characteristics are reported. | |
| キーワード | （和） | SIS接合 / Nb / Al / / / / / |
| （英） | SIS Junctions / Niobium / Al / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 242, SCE2015-34, pp. 75-79, 2015年10月. | |
| 資料番号 | SCE2015-34 | |
| 発行日 | 2015-10-01 (SCE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SCE2015-34 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
| 開催期間 | 2015-10-08 - 2015-10-09 |
| 開催地（和） | 東北大 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | 検出基盤技術及び応用、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SCE |
| 会議コード | 2015-10-SCE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Nb/Al/AlOx/Al/Nb接合の評価および解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation and Analysis of Nb/Al/AlOx/Al/Nb Junctions |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SIS接合 / SIS Junctions |
| キーワード(2)（和/英） | Nb / Niobium |
| キーワード(3)（和/英） | Al / Al |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池谷 瑞基 / Mizuki Ikeya / イケヤ ミズキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小嶋 崇文 / Takafumi Kojima / コジマ タカフミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 国立天文台 (略称： 国立天文台) National Astronomical Observatory of Japan (略称： NAOJ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 卓 / Noguchi Takashi / ノグチ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 国立天文台 (略称： 国立天文台) National Astronomical Observatory of Japan (略称： NAOJ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 剛 / Takeshi Sakai / サカイ タケシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-10-09 11:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SCE |
| 資料番号 | SCE2015-34 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.242 |
| ページ範囲 | pp.75-79 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-10-01 (SCE) |
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