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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-10-29 14:50 Ar/H2混合ガス熱処理によるSi表面平坦化プロセスの検討 ○工藤聡也・大見俊一郎（東工大）  SDM2015-72 |
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| 抄録 | （和） | 超高純度Arを用いた高清浄雰囲気における熱処理により、Si表面を原子レベルで平坦化できることが報告されている。本研究では、一般的な高純度石英管を用いた電気炉により、Ar/(0 - 4%)H2混合ガス雰囲気で熱処理を行い、熱処理雰囲気の高清浄化とSi表面平坦化プロセスに関する検討を行った。熱処理中の残留酸素を低減し熱処理雰囲気をArからAr/4%H2に変更することにより、1000°C/5 minの熱処理時に形成されるSiO2の膜厚を、3.0 nmから1.3 nmまで低減することに成功した。さらに、エッチング特性を検討し、Ar/4%H2雰囲気で1050°C/30 minの熱処理を行うことで原子レベル平坦表面の形成に成功した。 |
| （英） | It has been reported that the atomically flat surface of Si(100) is able to be obtained by annealing in ultra-pure Ar ambient. In this study, Si substrates were annealed under Ar/(0 - 4%)H2 ambient to investigate Si surface flattening process utilizing the furnace with ultra-pure quartz tubes by changing ambient gas and annealing temperature. The thickness of unintentionally formed SiO2 by 1000°C/5 min annealing was decreased from 3.0 nm to 1.3 nm by changing ambient gas from Ar to Ar/4%H2. Furthermore, atomically flat surface was obtained by 1050°C/30 min annealing in Ar/4%H2 ambient. | |
| キーワード | （和） | Si / 平坦化プロセス / 原子レベル平坦 / 熱処理 / Ar/H2 / / / |
| （英） | Si / flattening process / atomically flat / annealing / Ar/H2 / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 280, SDM2015-72, pp. 7-12, 2015年10月. | |
| 資料番号 | SDM2015-72 | |
| 発行日 | 2015-10-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-72 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-10-29 - 2015-10-30 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ar/H2混合ガス熱処理によるSi表面平坦化プロセスの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study on Si surface flattening process by annealing Ar/H2ambient |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | 平坦化プロセス / flattening process |
| キーワード(3)（和/英） | 原子レベル平坦 / atomically flat |
| キーワード(4)（和/英） | 熱処理 / annealing |
| キーワード(5)（和/英） | Ar/H2 / Ar/H2 |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 聡也 / Sohya Kudoh / クドウ ソウヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-10-29 14:50:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-72 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.280 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-10-22 (SDM) |
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