お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2015-10-30 09:30
[招待講演]マイクロ波励起プラズマによる立体構造体への等方均一注入技術
上田博一TEL TDC)・ピーター ベントゼックTEL AMERICA)・岡 正浩小林勇気杉本靖広川上 聡TEL TDCSDM2015-76 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-76
抄録 (和) Si FIN 構造体へのコンフォーマル砒素ドーピング形成をRLSATMマイクロ波プラズマと650~850度程度の低温熱処理により実現した。Fin構造体へのAs(砒素)注入プロファイルの分析には、TEMおよびSEMのEDX分析を用いた。Asドーピングのコンフォーマルドーピングの形成は、高密度低エネルギープラズマ照射と共にSiおよびO(酸素)原子が相互作用している事が示唆される。 
(英) Conformal plasma doping for topographic structures was achieved using microwave plasmas with low temperature annealing. To verify the same Arsenic concentration was present at the top and side Fin structure surfaces, Arsenic concentrations were measured precisely by TEM and SEM EDX for both plasma doping and subsequent annealing steps. The unique ability of the RLSATM plasma source to operate at high density and generating a lot of reactive ions allow accessing the lower kinetic ion energy regime needed for damage free dopant incorporation in topographic structures. It is also tightly relevant with oxygen and Si atoms for the conformal doping formation.
キーワード (和) プラズマドーピング / コンフォーマルドーピング / 砒素注入 / フィン型トランジスタ / Si プロセス / / /  
(英) Plasma Doping / Conformal Doping / Arsenic doping / Fin FET / Si process / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 280, SDM2015-76, pp. 29-33, 2015年10月.
資料番号 SDM2015-76 
発行日 2015-10-22 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2015-76 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-76

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2015-10-29 - 2015-10-30 
開催地(和) 東北大学未来研 
開催地(英) Niche, Tohoku Univ. 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2015-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) マイクロ波励起プラズマによる立体構造体への等方均一注入技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Radial line slot antenna microwave plasma source mediated conformal doping of non-planar silicon structures 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) プラズマドーピング / Plasma Doping  
キーワード(2)(和/英) コンフォーマルドーピング / Conformal Doping  
キーワード(3)(和/英) 砒素注入 / Arsenic doping  
キーワード(4)(和/英) フィン型トランジスタ / Fin FET  
キーワード(5)(和/英) Si プロセス / Si process  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 上田 博一 / Hirokazu Ueda / ウエダ ヒロカズ
第1著者 所属(和/英) 東京エレクトロン株式会社 (略称: TEL TDC)
Tokyo Electron, Ltd. (略称: TEL TDC)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) ピーター ベントゼック / Peter Ventzek / ピーター ベントゼック
第2著者 所属(和/英) 東京エレクトロン・アメリカ (略称: TEL AMERICA)
Tokyo Electron America, Inc. (略称: TEL America)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡 正浩 / Masahiro Oka / オカ マサヒロ
第3著者 所属(和/英) 東京エレクトロン株式会社 (略称: TEL TDC)
Tokyo Electron, Ltd. (略称: TEL TDC)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 勇気 / Yuuki Kobayashi / コバヤシ ユウキ
第4著者 所属(和/英) 東京エレクトロン株式会社 (略称: TEL TDC)
Tokyo Electron, Ltd. (略称: TEL TDC)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉本 靖広 / Yasuhiro Sugimoto / スギモト ヤスヒロ
第5著者 所属(和/英) 東京エレクトロン株式会社 (略称: TEL TDC)
Tokyo Electron, Ltd. (略称: TEL TDC)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 川上 聡 / Satoru Kawakami / カワカミ サトル
第6著者 所属(和/英) 東京エレクトロン株式会社 (略称: TEL TDC)
Tokyo Electron, Ltd. (略称: TEL TDC)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2015-10-30 09:30:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2015-76 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.280 
ページ範囲 pp.29-33 
ページ数
発行日 2015-10-22 (SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会