講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-10-30 09:30
[招待講演]マイクロ波励起プラズマによる立体構造体への等方均一注入技術 ○上田博一(TEL TDC)・ピーター ベントゼック(TEL AMERICA)・岡 正浩・小林勇気・杉本靖広・川上 聡(TEL TDC) SDM2015-76 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-76 |
抄録 |
(和) |
Si FIN 構造体へのコンフォーマル砒素ドーピング形成をRLSATMマイクロ波プラズマと650~850度程度の低温熱処理により実現した。Fin構造体へのAs(砒素)注入プロファイルの分析には、TEMおよびSEMのEDX分析を用いた。Asドーピングのコンフォーマルドーピングの形成は、高密度低エネルギープラズマ照射と共にSiおよびO(酸素)原子が相互作用している事が示唆される。 |
(英) |
Conformal plasma doping for topographic structures was achieved using microwave plasmas with low temperature annealing. To verify the same Arsenic concentration was present at the top and side Fin structure surfaces, Arsenic concentrations were measured precisely by TEM and SEM EDX for both plasma doping and subsequent annealing steps. The unique ability of the RLSATM plasma source to operate at high density and generating a lot of reactive ions allow accessing the lower kinetic ion energy regime needed for damage free dopant incorporation in topographic structures. It is also tightly relevant with oxygen and Si atoms for the conformal doping formation. |
キーワード |
(和) |
プラズマドーピング / コンフォーマルドーピング / 砒素注入 / フィン型トランジスタ / Si プロセス / / / |
(英) |
Plasma Doping / Conformal Doping / Arsenic doping / Fin FET / Si process / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 280, SDM2015-76, pp. 29-33, 2015年10月. |
資料番号 |
SDM2015-76 |
発行日 |
2015-10-22 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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