| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-10-30 09:30 ［招待講演］マイクロ波励起プラズマによる立体構造体への等方均一注入技術 ○上田博一（TEL TDC）・ピーター ベントゼック（TEL AMERICA）・岡 正浩・小林勇気・杉本靖広・川上 聡（TEL TDC）  SDM2015-76 |
|
| 抄録 | （和） | Si FIN 構造体へのコンフォーマル砒素ドーピング形成をRLSATMマイクロ波プラズマと650～850度程度の低温熱処理により実現した。Fin構造体へのAs（砒素）注入プロファイルの分析には、TEMおよびSEMのEDX分析を用いた。Asドーピングのコンフォーマルドーピングの形成は、高密度低エネルギープラズマ照射と共にSiおよびO（酸素）原子が相互作用している事が示唆される。 |
| （英） | Conformal plasma doping for topographic structures was achieved using microwave plasmas with low temperature annealing. To verify the same Arsenic concentration was present at the top and side Fin structure surfaces, Arsenic concentrations were measured precisely by TEM and SEM EDX for both plasma doping and subsequent annealing steps. The unique ability of the RLSATM plasma source to operate at high density and generating a lot of reactive ions allow accessing the lower kinetic ion energy regime needed for damage free dopant incorporation in topographic structures. It is also tightly relevant with oxygen and Si atoms for the conformal doping formation. | |
| キーワード | （和） | プラズマドーピング / コンフォーマルドーピング / 砒素注入 / フィン型トランジスタ / Si プロセス / / / |
| （英） | Plasma Doping / Conformal Doping / Arsenic doping / Fin FET / Si process / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 280, SDM2015-76, pp. 29-33, 2015年10月. | |
| 資料番号 | SDM2015-76 | |
| 発行日 | 2015-10-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-76 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-10-29 - 2015-10-30 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | マイクロ波励起プラズマによる立体構造体への等方均一注入技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Radial line slot antenna microwave plasma source mediated conformal doping of non-planar silicon structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマドーピング / Plasma Doping |
| キーワード(2)（和/英） | コンフォーマルドーピング / Conformal Doping |
| キーワード(3)（和/英） | 砒素注入 / Arsenic doping |
| キーワード(4)（和/英） | フィン型トランジスタ / Fin FET |
| キーワード(5)（和/英） | Si プロセス / Si process |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 博一 / Hirokazu Ueda / ウエダ ヒロカズ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン株式会社 (略称： TEL TDC) Tokyo Electron, Ltd. (略称： TEL TDC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | ピーター ベントゼック / Peter Ventzek / ピーター ベントゼック |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン・アメリカ (略称： TEL AMERICA) Tokyo Electron America, Inc. (略称： TEL America) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡 正浩 / Masahiro Oka / オカ マサヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン株式会社 (略称： TEL TDC) Tokyo Electron, Ltd. (略称： TEL TDC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 勇気 / Yuuki Kobayashi / コバヤシ ユウキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン株式会社 (略称： TEL TDC) Tokyo Electron, Ltd. (略称： TEL TDC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉本 靖広 / Yasuhiro Sugimoto / スギモト ヤスヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン株式会社 (略称： TEL TDC) Tokyo Electron, Ltd. (略称： TEL TDC) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川上 聡 / Satoru Kawakami / カワカミ サトル |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン株式会社 (略称： TEL TDC) Tokyo Electron, Ltd. (略称： TEL TDC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-10-30 09:30:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-76 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.280 |
| ページ範囲 | pp.29-33 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-10-22 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]