| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2015-10-30 13:00
[特別講演]ワイドバンドギャップ半導体に対する放射線の影響 ○矢野満明(阪工大) SANE2015-43 |
| 抄録 |
(和) |
宇宙には様々な放射線が存在し,通信衛星等に搭載された半導体デバイスの誤動作や特性劣化の原因となる.本講演では,宇宙における放射線環境と半導体デバイスへの影響について概説した後,恒久的な特性劣化をもたらす弾き出し損傷について,GaNとZnOに関する我々の実験結果を中心に報告する. |
| (英) |
Space radiation environments provide the cumulative degradation by total-dose effects and displacement damage effects as well as the soft-errors by single-event effects. In this presentation, our experimental results are reported focusing on the displacement damage effects for wide bandgap semiconductors of GaN and ZnO. |
| キーワード |
(和) |
半導体 / 放射線耐性 / 弾き出し損傷 / 特性劣化解析 / / / / |
| (英) |
Semiconductor / Radiation Hardness / Displacement Damage / Degradation Analysis / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 282, SANE2015-43, pp. 13-14, 2015年10月. |
| 資料番号 |
SANE2015-43 |
| 発行日 |
2015-10-23 (SANE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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