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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-10-30 13:50 HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 ○前田康貴・劉 野原・大見俊一郎（東工大）  SDM2015-80 |
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| 抄録 | （和） | p型有機半導体として広く知られているペンタセンは下層材料や堆積温度により、グレインの形状が大きく変化することが報告されている。また、低電圧動作化、低消費電力化のために、Siデバイスと同様にゲート絶縁膜に対する高誘電率材料の導入などが必要となる。今回、HfO2ゲート絶縁膜上に堆積温度を100oCとしてペンタセン薄膜を形成した場合、従来よりも大きなグレインを有するペンタセン薄膜が形成できることが分かったので報告する。さらにこの薄膜を用いたOFETのデバイス特性に関する評価を行った。 |
| （英） | The grain growth of pentacene thin film, which is well known as p-type organic semiconductor, is sensitive for underneath material and deposition temperature. Furthermore, high-k materials are necessary to introduce as gate insulator to decrease the operation voltage as well as Si devices. It was found that pentacene film deposited at 100oC showed large grain growth on HfO2 bottom gate insulator. Furthermore, the device characteristics of OFET with the pentacene film were investigated. | |
| キーワード | （和） | HfO2 / ペンタセン / 高温堆積 / 表面モフォロジー / / / / |
| （英） | HfO2 / pentacene / high temperature deposition / surface morphology / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 280, SDM2015-80, pp. 49-52, 2015年10月. | |
| 資料番号 | SDM2015-80 | |
| 発行日 | 2015-10-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-80 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-10-29 - 2015-10-30 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Study on the Device Characteristics of Pentacene-based OFET with HfO2 Gate Insulator |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | HfO2 / HfO2 |
| キーワード(2)（和/英） | ペンタセン / pentacene |
| キーワード(3)（和/英） | 高温堆積 / high temperature deposition |
| キーワード(4)（和/英） | 表面モフォロジー / surface morphology |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 康貴 / Yasutaka Maeda / マエダ ヤスタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 劉 野原 / Yeyuan Liu / リュウ ヤゲン |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-10-30 13:50:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-80 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.280 |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-10-22 (SDM) |
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