講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-11-05 11:25
モンテカルロ法による超高速イメージセンサの解析 ○南谷夏海(阪大)・Vu Truon Son Dao・下ノ村和弘・江藤剛治(立命館大)・鎌倉良成・森 伸也(阪大) SDM2015-86 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2015-86 |
抄録 |
(和) |
裏面照射型CCDを用いた超高速撮像素子を想定した基礎的なシミュレーション解析を行った。光電変換層で生成した光電子がコレクションゲート部に到達するまで要する走行時間のばらつきが、撮像速度限界を決定する根源的な因子と考えられる。モンテカルロシミュレーションを用いた統計解析を行ったところ、電子到達時間のばらつきはデバイスへの印加電界と走行層の厚みに依存し、さらに電界依存性については基礎的な輸送特性量、すなわちドリフト速度と電子拡散係数に関連していることが分かった。 |
(英) |
We computationally investigate the fundamental properties of electron transport in the backside-illuminated CCD image sensor with multi-collection-gates. To understand the ultimate limit of the frame rate, one of which is considered to be determined by the transit time dispersion of photoelectrons, we perform Monte Carlo simulations. It is shown that the variation of the electron transit time is dependent on the electric field and the device width, and an empirical formula is presented to estimate the standard deviation for the electron transit time distribution. |
キーワード |
(和) |
イメージセンサ / デバイスシミュレーション / 超高速撮像 / モンテカルロ法 / / / / |
(英) |
image sensor / device simulation / ultra-high-speed camera / Monte Carlo method / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 292, SDM2015-86, pp. 13-17, 2015年11月. |
資料番号 |
SDM2015-86 |
発行日 |
2015-10-29 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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