お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2015-11-06 16:10
面内配向成長した単層カーボンナノチューブの自由電子レーザー照射効果と触媒形状依存性
川口大貴吉田圭佑小林弥生春宮清之介・○永田知子山本 寛岩田展幸日大CPM2015-91 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2015-91
抄録 (和) 波長800 nmの自由電子レーザー(Free Electron Laser : FEL)、及びST-cut人工水晶基板を用いて面内配向成長した単層カーボンナノチューブ(Single-Walled Carbon Nanotube : SWNT)のカイラリティ制御を試みた。化学気相成長(Chemical Vapor Deposition : CVD)後の表面像から面内配向成長したSWNTを確認した。また、Radial Breathing Mode (RBM)はラマン励起波長785 nmにおいてのみ確認できたことから、FEL照射によりFELのエネルギーに相当するバンドギャップを有するSWNTのみ成長させられることが確かめた。しかし直径1.07 nmの半導体性SWNTだけでなく直径1.59 nmの金属性SWNTも成長した。半導体性SWNTのみを成長させるため触媒の粒径や形状を制御することでSWNTsの直径を制御することを考えた。触媒の堆積方法としてディップコート法を用い、引き上げ速度を3種類に変化させた。ディップコート後の触媒の粒径および密度は引き上げ速度により異なっていたものの、触媒の還元処理後に粒径および形状に顕著な差が見られなくなり、SWNTs成長後の表面像およびラマンスペクトルから求めたSWNTsの直径にも顕著な差が見られなかった。このことから、還元処理過程における触媒の直径および形状の制御が必要であることがわかった。 
(英) The purpose of this study is simultaneous control of in-plane alignment and chirality of single-walled carbon nanotube (SWNT). SWNT was grown on ST-cut quartz substrate under the irradiation of 800 nm free electron laser (FEL). The surface image indicates the growth of in-plane aligned SWNT. The radial breathing mode (RBM) peaks were observed only with 785 nm excitation laser, indicating that the FEL irradiation enhances the growth of SWNTs having specific bandgap, which corresponds to the photon energy of the FEL. However, we got not only semiconductive SWNT with a diameter of 1.97 nm but also metallic one with a diameter of 1.59 nm. The diameter control is necessary for growth of only semiconductive SWNTs. In order to control the diameter of SWNT, we prepared catalyst with three different pull speed, expecting different catalyst diameter. The larger diameter and higher density were observed with higher pull speed, while the heat treatment made the difference much smaller. Then the SWNT showed almost the same morphology and diameter. Further investigation is required on the heat treatment for the catalyst.
キーワード (和) 単層カーボンナノチューブ / カイラリティ制御 / 化学気相成長 / 触媒制御 / / / /  
(英) Single-Walled Carbon Nanotube / Chirality Control / Chemical Vapor Deposition / Catalyst Control / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 297, CPM2015-91, pp. 37-42, 2015年11月.
資料番号 CPM2015-91 
発行日 2015-10-30 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2015-91 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2015-91

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2015-11-06 - 2015-11-07 
開催地(和) まちなかキャンパス長岡 
開催地(英) Machinaka Campus Nagaoka 
テーマ(和) 薄膜プロセス・材料,一般 
テーマ(英) Thin film processing, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2015-11-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 面内配向成長した単層カーボンナノチューブの自由電子レーザー照射効果と触媒形状依存性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) The Influence of the Free Electron Laser Irradiation and Catalysts Configuration on Growth of In-plane Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 単層カーボンナノチューブ / Single-Walled Carbon Nanotube  
キーワード(2)(和/英) カイラリティ制御 / Chirality Control  
キーワード(3)(和/英) 化学気相成長 / Chemical Vapor Deposition  
キーワード(4)(和/英) 触媒制御 / Catalyst Control  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 川口 大貴 / Daiki Kawaguchi / カワグチ ダイキ
第1著者 所属(和/英) 日本大学 (略称: 日大)
Nihon University (略称: Nihon Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 圭佑 / Keisuke Yoshida / ヨシダ ケイスケ
第2著者 所属(和/英) 日本大学 (略称: 日大)
Nihon University (略称: Nihon Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 弥生 / Miu Kobayashi / コバヤシ ミウ
第3著者 所属(和/英) 日本大学 (略称: 日大)
Nihon University (略称: Nihon Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 春宮 清之介 / Shinnosuke Harumiya / ハルミヤ シンノスケ
第4著者 所属(和/英) 日本大学 (略称: 日大)
Nihon University (略称: Nihon Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 永田 知子 / Tomoko Nagata / ナガタ トモコ
第5著者 所属(和/英) 日本大学 (略称: 日大)
Nihon University (略称: Nihon Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto / ヤマモト ヒロシ
第6著者 所属(和/英) 日本大学 (略称: 日大)
Nihon University (略称: Nihon Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata / イワタ ノブユキ
第7著者 所属(和/英) 日本大学 (略称: 日大)
Nihon University (略称: Nihon Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第5著者 
発表日時 2015-11-06 16:10:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2015-91 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.297 
ページ範囲 pp.37-42 
ページ数
発行日 2015-10-30 (CPM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会