講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-11-06 16:10
面内配向成長した単層カーボンナノチューブの自由電子レーザー照射効果と触媒形状依存性 川口大貴・吉田圭佑・小林弥生・春宮清之介・○永田知子・山本 寛・岩田展幸(日大) CPM2015-91 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2015-91 |
抄録 |
(和) |
波長800 nmの自由電子レーザー(Free Electron Laser : FEL)、及びST-cut人工水晶基板を用いて面内配向成長した単層カーボンナノチューブ(Single-Walled Carbon Nanotube : SWNT)のカイラリティ制御を試みた。化学気相成長(Chemical Vapor Deposition : CVD)後の表面像から面内配向成長したSWNTを確認した。また、Radial Breathing Mode (RBM)はラマン励起波長785 nmにおいてのみ確認できたことから、FEL照射によりFELのエネルギーに相当するバンドギャップを有するSWNTのみ成長させられることが確かめた。しかし直径1.07 nmの半導体性SWNTだけでなく直径1.59 nmの金属性SWNTも成長した。半導体性SWNTのみを成長させるため触媒の粒径や形状を制御することでSWNTsの直径を制御することを考えた。触媒の堆積方法としてディップコート法を用い、引き上げ速度を3種類に変化させた。ディップコート後の触媒の粒径および密度は引き上げ速度により異なっていたものの、触媒の還元処理後に粒径および形状に顕著な差が見られなくなり、SWNTs成長後の表面像およびラマンスペクトルから求めたSWNTsの直径にも顕著な差が見られなかった。このことから、還元処理過程における触媒の直径および形状の制御が必要であることがわかった。 |
(英) |
The purpose of this study is simultaneous control of in-plane alignment and chirality of single-walled carbon nanotube (SWNT). SWNT was grown on ST-cut quartz substrate under the irradiation of 800 nm free electron laser (FEL). The surface image indicates the growth of in-plane aligned SWNT. The radial breathing mode (RBM) peaks were observed only with 785 nm excitation laser, indicating that the FEL irradiation enhances the growth of SWNTs having specific bandgap, which corresponds to the photon energy of the FEL. However, we got not only semiconductive SWNT with a diameter of 1.97 nm but also metallic one with a diameter of 1.59 nm. The diameter control is necessary for growth of only semiconductive SWNTs. In order to control the diameter of SWNT, we prepared catalyst with three different pull speed, expecting different catalyst diameter. The larger diameter and higher density were observed with higher pull speed, while the heat treatment made the difference much smaller. Then the SWNT showed almost the same morphology and diameter. Further investigation is required on the heat treatment for the catalyst. |
キーワード |
(和) |
単層カーボンナノチューブ / カイラリティ制御 / 化学気相成長 / 触媒制御 / / / / |
(英) |
Single-Walled Carbon Nanotube / Chirality Control / Chemical Vapor Deposition / Catalyst Control / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 297, CPM2015-91, pp. 37-42, 2015年11月. |
資料番号 |
CPM2015-91 |
発行日 |
2015-10-30 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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