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講演抄録/キーワード
講演名 2015-11-19 14:50
反射率変化観測と変化率イメージングによるパワーMOSFETの動作解析
遠藤幸一東芝)・中村共則浜松ホトニクス)・中前幸治阪大R2015-58
抄録 (和) 誘導負荷スイッチング(UIS)条件にあるパワー用MOSFETの表面の温度変化の観測を行った.測定装置としては光学プローブ熱反射率イメージマッピング(OPTIM),これはEOFM(Electro-Optical周波数マッピング)を利用して,いる.OPTIMはパワーデバイスの反射率の変化およびその分布を測定できることを確認した.さらに変化率変動分布もロックインサーモグラフィ(LIT)より詳細に観測できる. 
(英) We investigate the temperature variation of the top surface image of power metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) under unclamped inductive switching (UIS) conditions. We perform measurements using the optical probed thermoreflectance image mapping. (OPTIM) technique (using electro optical frequency mapping: EOFM). The measured data obtained by the thermoreflectance mapping was found to be sensitive to changes in temperature as opposed to the temperature distribution. These results suggest that the OPTIM method is better able to measure the heat generation distribution, because it has a higher time-resolution than that of thermography.
キーワード (和) パワーデバイス / EOプロービング / 反射率 / 発熱観測 / / / /  
(英) Power Device / Electro-Optical Probing (EO Probing) / reflectivity / Thermal Observation / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 313, R2015-58, pp. 11-16, 2015年11月.
資料番号 R2015-58 
発行日 2015-11-12 (R) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード R2015-58

研究会情報
研究会 R  
開催期間 2015-11-19 - 2015-11-19 
開催地(和) 大阪中央電気倶楽部 
開催地(英)  
テーマ(和) 半導体と電子デバイスの信頼性,信頼性一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 R 
会議コード 2015-11-R 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 反射率変化観測と変化率イメージングによるパワーMOSFETの動作解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Observation of Power MOSFET under UIS avalanche breakdown condition using thermoreflectance image mapping 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) パワーデバイス / Power Device  
キーワード(2)(和/英) EOプロービング / Electro-Optical Probing (EO Probing)  
キーワード(3)(和/英) 反射率 / reflectivity  
キーワード(4)(和/英) 発熱観測 / Thermal Observation  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 幸一 / Koichi Endo / エンドウ コウイチ
第1著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 共則 / Tomonori Nakamura / ナカムラ トモノリ
第2著者 所属(和/英) 浜松ホトニクス株式会社 (略称: 浜松ホトニクス)
Hamamatsu Photonics K.K. (略称: Hamamatsu Photonics K.K.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中前 幸治 / Koji Nakamae / ナカマエ コウジ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-11-19 14:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 R 
資料番号 R2015-58 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.313 
ページ範囲 pp.11-16 
ページ数
発行日 2015-11-12 (R) 


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