講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-11-26 15:55
光音響・発光同時計測法を用いたGaNの内部量子効率の測定 ○中納 隆・河上航平・山口敦史(金沢工大) ED2015-78 CPM2015-113 LQE2015-110 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-78 CPM2015-113 LQE2015-110 |
抄録 |
(和) |
窒化物半導体の内部量子効率は、発光 (PL)強度の温度依存性から、極低温における内部量子効率を100%と仮定して、求められることが多い。しかし、欠陥の多い窒化物半導体で、この仮定は必ずしも正しいとは限らない。本研究では、異なる品質のGaNについて、光音響・発光同時計測法によって、正しい内部量子効率を測定した。その結果、質の悪いGaN試料では、従来の方法で正しい内部量子効率が求められないことが明らかとなった。 |
(英) |
Internal quantum efficiency (IQE) is usually estimated from temperature dependence of photoluminescence (PL) intensity by assuming that the IQE at cryogenic temperature is unity. III-nitride samples, however, usually have large defect-density, and the assumption is not necessarily valid. In this study, we developed a new method to estimate accurate IQE values by simultaneous PL and photo-acoustic (PA) measurements, and demonstratively evaluated the IQE values for various GaN samples. The results show that the conventional method cannot give accurate IQE values for low-quality samples although it can be valid for high-quality samples, and that our method can always give accurate values. |
キーワード |
(和) |
GaN / 光音響 / 内部量子効率 / PL温度依存性 / 非輻射再結合 / / / |
(英) |
GaN / Photo-acoustic / Internal quantum efficiency / temperature dependence of photoluminescence intensity / Non-radiative recombination / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 331, LQE2015-110, pp. 53-58, 2015年11月. |
資料番号 |
LQE2015-110 |
発行日 |
2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2015-78 CPM2015-113 LQE2015-110 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-78 CPM2015-113 LQE2015-110 |
|