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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-11-26 15:30 光音響・発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射・非輻射再結合寿命の測定 ○河上航平・中納 隆・山口敦史（金沢工大）  ED2015-77 CPM2015-112 LQE2015-109 |
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| 抄録 | （和） | 半導体の輻射・非輻射再結合寿命は、発光(PL)寿命とPL強度の温度変化から、極低温での内部量子効率(IQE)を100％と仮定することによって、見積もられることが多い。しかし、欠陥の多い窒化物半導体において、この仮定は必ずしも正しくない。そこで本研究では、光音響・発光同時計測から求めた正しいIQEを基にPL寿命を解析し、正しい再結合寿命を見積もった。その結果、輻射再結合寿命は温度の1.5乗に比例して増加するのに対し、非輻射再結合寿命はほぼ変化せず、その絶対値は測定試料の品質に依存することがわかった。 |
| （英） | Radiative and non-radiative recombination lifetimes in III-nitride semiconductors are usually estimated from time-resolved and temperature-dependent photoluminescence (PL) measurements by assuming that internal quantum efficiency (IQE) at cryogenic temperature is unity. In our recent study, we found that the assumption is not necessarily valid, from simultaneous measurements of PL and photo-acoustic (PA) signals. In this study, we estimate accurate lifetimes from the reliable IQE values estimated by the simultaneous PL/PA measurements, and it is found that radiative lifetime in GaN increases in proportion to the 1.5th power of temperature and that non-radiative lifetime shows little temperature dependence although the non-radiative lifetime itself largely depends on sample quality. | |
| キーワード | （和） | 窒化物半導体 / GaN / 内部量子効率 / 再結合寿命 / / / / |
| （英） | Nitride Semiconductor / GaN / IQE / Recombination lifetime / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 331, LQE2015-109, pp. 49-52, 2015年11月. | |
| 資料番号 | LQE2015-109 | |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-77 CPM2015-112 LQE2015-109 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2015-11-26 - 2015-11-27 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
| 開催地（英） | Osaka City University Media Center |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2015-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 光音響・発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射・非輻射再結合寿命の測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of radiative and non-radiative lifetimes in GaN using accurate internal-quantum-efficiency values estimated by simultaneous photoluminescence and photo-acoustic measurements |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride Semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 内部量子効率 / IQE |
| キーワード(4)（和/英） | 再結合寿命 / Recombination lifetime |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河上 航平 / Kohei Kawakami / カワカミ コウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中納 隆 / Takashi Nakano / ナカノ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦史 / Atsushi A Yamaguchi / |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-11-26 15:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2015-77, CPM2015-112, LQE2015-109 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
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