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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-12-14 13:45 RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価 ○吉岡敏博・小川淳史・弓削政博・松田時宜・木村 睦（龍谷大）  EID2015-15 SDM2015-98 |
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| 抄録 | （和） | 酸化物半導体は可視領域内の高い光透過率とアモルファス状態における優れた高い移動度が認められるため,アモルファスシリコンと多結晶シリコンに代わる薄膜トランジスタ(TFT)の有望な代替材料として注目を集めている．本研究では, InGaZnO4 (IGZO)に含まれる成分の中で,特に高い移動度の要因であると考えられている酸化インジウム薄膜をRFマグネトロンスパッタリング法により成膜し評価を行った．また,酸化インジウム層をチャネル層とする TFTを作製し性能を評価した． |
| （英） | Oxide semiconductors have attracted much attention as a promising alternative to hydrogenated amorphous Si (a-Si:H) and poly-Si due to their high field effect mobility even in the amorphous state with high optical transmittance in the visible range. In this study, among the components contained in the InGaZnO4 (IGZO), In2O3 was deposited and evaluated for the possible cause of high field effect mobility. Optical transmittance and sheet resistance of In2O3 thin film were evaluated and applied for thin film transistor. | |
| キーワード | （和） | RFマグネトロンスパッタリング / 酸化物半導体 / InGaZnO4 (IGZO) / / / / / |
| （英） | RF magnetron sputtering / Oxide semiconductor / InGaZnO4 (IGZO) / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 362, EID2015-15, pp. 27-30, 2015年12月. | |
| 資料番号 | EID2015-15 | |
| 発行日 | 2015-12-07 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2015-15 SDM2015-98 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID SDM |
| 開催期間 | 2015-12-14 - 2015-12-14 |
| 開催地（和） | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 |
| 開催地（英） | Ryukoku University, Avanti Kyoto Hall |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | Si and Si-related Materials and Devices, and Display Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EID |
| 会議コード | 2015-12-EID-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of In2O3 film deposited by RF magnetron sputtering |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | RFマグネトロンスパッタリング / RF magnetron sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化物半導体 / Oxide semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | InGaZnO4 (IGZO) / InGaZnO4 (IGZO) |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉岡 敏博 / Toshihiro Yoshioka / ヨシオカ トシヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 淳史 / Junji Ogawa / オガワ ジュンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 弓削 政博 / Masahiro Yuge / |
| 第3著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 時宜 / Tokiyoshi Matsuda / マツダ トキヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-12-14 13:45:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | EID |
| 資料番号 | EID2015-15, SDM2015-98 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.362(EID), no.363(SDM) |
| ページ範囲 | pp.27-30 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-12-07 (EID, SDM) |
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