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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-12-14 15:15 SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価 ○小川淳史・弓削政博・吉岡敏博・松田時宜・木村 睦（龍谷大）  EID2015-20 SDM2015-103 |
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| 抄録 | （和） | 酸化物半導体であるSnO2とAl2O3をSn : Al= 9 : 1で混合した材料の焼結セラミックをターゲットとしてRFマグネトロンスパッタ装置を用いてガラス基板に成膜し, その電気的特性, 光透過率などを評価した.電気的特性はSnO2/Al2O3薄膜のシート抵抗を評価し, 温度依存性がある事が明らかになった. SnO2 / Al2O3薄膜の透過率は可視光領域で全ての条件で80 [%]以上を超えており, 透明である事が明らかになった. Siウェハー上にSnO2/Al2O3薄膜トランジスタ(TFT)を形成し, 動作させる事に成功した. |
| （英） | Oxide semiconductor with mixture of SnO2 and Al2O3at ratio Sn : Al = 9 : 1 was examined for active layer of thin film transistor (TFT). Thin films of SnO2 / Al2O3 were deposited by RF magnetron sputtering, and those sheet resistance and optical transmittance were evaluated. Optical transmittances with SnO2 / Al2O3 thin film were higher than 80% in visible range, therefore SnO2 / Al2O3 thin film were transparent. SnO2 / Al2O3 thin film transistor were fabricated on Si wafer. We found the operation of SnO2 / Al2O3 thin film transistor. | |
| キーワード | （和） | RFマグネトロンスパッタ / SnO2 / Al2O3 / 酸化物半導体 / / / / / |
| （英） | RF magnetron sputtering / SnO2 / Al2O3(ATO) thin film / oxide semiconductor / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 362, EID2015-20, pp. 49-52, 2015年12月. | |
| 資料番号 | EID2015-20 | |
| 発行日 | 2015-12-07 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2015-20 SDM2015-103 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID SDM |
| 開催期間 | 2015-12-14 - 2015-12-14 |
| 開催地（和） | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 |
| 開催地（英） | Ryukoku University, Avanti Kyoto Hall |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | Si and Si-related Materials and Devices, and Display Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EID |
| 会議コード | 2015-12-EID-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of SnO2/Al2O3 thin film and evaluation of thin film transistor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | RFマグネトロンスパッタ / RF magnetron sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | SnO2 / Al2O3 / SnO2 / Al2O3(ATO) thin film |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化物半導体 / oxide semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 淳史 / Junji Ogawa / オガワ ジュンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 弓削 政博 / Masahiro Yuge / ユゲ マサヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉岡 敏博 / Tosihiro Yosioka / ヨシオカ トシヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 時宜 / Tokiyosi Matsuda / マツダ トキヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-12-14 15:15:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | EID |
| 資料番号 | EID2015-20, SDM2015-103 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.362(EID), no.363(SDM) |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-12-07 (EID, SDM) |
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