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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-12-14 14:00 ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価 ○弓削政博・小川淳史・吉岡敏博・加藤雄太・松田時宜・木村 睦（龍谷大）  EID2015-16 SDM2015-99 |
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| 抄録 | （和） | 薄膜トランジスタ動作する事が確認されたGaxSn1-xO(GTO)薄膜を、非真空プロセスであるミストCVD法によって、 異なる基板温度でそれぞれ成膜時間を変えてガラス基板上に成膜した。そのGTO薄膜の光学的特性、電気的特性の評価を行った。GTO薄膜の光学的特性は可視光領域において透過率80%以上となったが成膜時間による依存性は見られなかった．GTO薄膜のシート抵抗である電気的特性は，450，500℃ともに成膜時間が長くなるにつれてシート抵抗は低下した． |
| （英） | Thin films of GaxSn1-xO (GTO) for an active layer of thin film transistor (TFT) were deposited with different substrate temperature and deposition time on glass substrates by the mist CVD method with non-vacuum process. Optical transmittances of GTO thin film were higher than 80% for all deposition time. Sheet resistances of GTO thin films were decreased deposited at 450℃, and 500℃ with longer deposition time. Relationships between the sheet resistance and deposition time were not inverse proportion. | |
| キーワード | （和） | 酸化物半導体 / GaSnO薄膜 / ミストCVD / / / / / |
| （英） | Oxide semiconductor / GaSnO thin film / mist CVD / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 362, EID2015-16, pp. 31-34, 2015年12月. | |
| 資料番号 | EID2015-16 | |
| 発行日 | 2015-12-07 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2015-16 SDM2015-99 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID SDM |
| 開催期間 | 2015-12-14 - 2015-12-14 |
| 開催地（和） | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 |
| 開催地（英） | Ryukoku University, Avanti Kyoto Hall |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | Si and Si-related Materials and Devices, and Display Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EID |
| 会議コード | 2015-12-EID-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of GaxSn1-xO thin film by the mist CVD method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化物半導体 / Oxide semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | GaSnO薄膜 / GaSnO thin film |
| キーワード(3)（和/英） | ミストCVD / mist CVD |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 弓削 政博 / Masahiro Yuge / ユゲ マサヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 淳史 / Junji Ogawa / オガワ ジュンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉岡 敏博 / Tosihiro Yosioka / ヨシオカ トシヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 雄太 / Yuta Kato / カトウ ユウタ |
| 第4著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 時宜 / Tokiyosi Matsuda / マツダ トキヨシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ |
| 第6著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-12-14 14:00:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | EID |
| 資料番号 | EID2015-16, SDM2015-99 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.362(EID), no.363(SDM) |
| ページ範囲 | pp.31-34 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-12-07 (EID, SDM) |
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