講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-12-17 16:00
[ポスター講演]NAND型フラッシュメモリにおけるエラー傾向の解析 ○中村芳王・Tomoko Ogura Iwasaki・竹内 健(中大) ICD2015-76 CPSY2015-89 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2015-76 |
抄録 |
(和) |
NAND型フラッシュメモリのエラーとして、書き込みディスターブエラーとデータ保持エラーが存在する。書き込みディスターブエラーは電子が誤って浮遊ゲートに注入され、しきい値電圧が増加することで生じる。一方、データ保持エラーは時間の経過とともに電子が浮遊ゲートから抜け落ち、しきい値電圧が減少することで生じる。これらのエラーは、チャネルと浮遊ゲート間に存在する酸化膜の状態に大きく依存する。製造時のばらつきによって酸化膜の状態が変化するため、メモリセルごとにエラーの傾向が変化する。本論文では、NAND型フラッシュメモリの高信頼化に向けて、書き込みディスターブエラーとデータ保持エラーの傾向を解析した。 |
(英) |
Program-disturb and data-retention degrade the reliability of NAND flash memory. During program-disturb, VTH of the memory cell is increased by electron injection into floating gate incorrectly. On the other hand, during data-retention, VTH of the memory cell is decreased by electron ejection from floating gate. These errors depend on the condition of tunnel oxide between floating gate and channel. Since the condition of tunnel oxide is changed by variation on manufacture, each memory cell has different error tendency. In this paper, tendency of program-disturb and data-retention errors are evaluated for enhancement of reliability in NAND flash memory. |
キーワード |
(和) |
ソリッド・ステート・ドライブ / NANDフラッシュメモリ / 信頼性 / / / / / |
(英) |
solid-state-drive / NAND flash memory / reliability / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 373, ICD2015-76, pp. 51-51, 2015年12月. |
資料番号 |
ICD2015-76 |
発行日 |
2015-12-10 (ICD, CPSY) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ICD2015-76 CPSY2015-89 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2015-76 |
研究会情報 |
研究会 |
ICD CPSY |
開催期間 |
2015-12-17 - 2015-12-18 |
開催地(和) |
京都工芸繊維大学 |
開催地(英) |
Kyoto Institute of Technology |
テーマ(和) |
学生・若手研究会 |
テーマ(英) |
|
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ICD |
会議コード |
2015-12-ICD-CPSY |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
NAND型フラッシュメモリにおけるエラー傾向の解析 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Error Tendency Analysis in NAND Flash Memory |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
ソリッド・ステート・ドライブ / solid-state-drive |
キーワード(2)(和/英) |
NANDフラッシュメモリ / NAND flash memory |
キーワード(3)(和/英) |
信頼性 / reliability |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中村 芳王 / Yoshio Nakamura / ナカムラ ヨシオ |
第1著者 所属(和/英) |
中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
Tomoko Ogura Iwasaki / Tomoko Ogura Iwasaki / Tomoko Ogura Iwasaki |
第2著者 所属(和/英) |
中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
第3著者 所属(和/英) |
中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2015-12-17 16:00:00 |
発表時間 |
100分 |
申込先研究会 |
ICD |
資料番号 |
ICD2015-76, CPSY2015-89 |
巻番号(vol) |
vol.115 |
号番号(no) |
no.373(ICD), no.374(CPSY) |
ページ範囲 |
p.51 |
ページ数 |
1 |
発行日 |
2015-12-10 (ICD, CPSY) |