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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-12-18 14:00 NANDフラッシュメモリのためのP/E サイクルを考慮した誤り訂正符号 ○浅井万平・北神正人（千葉大）  DC2015-76 |
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| 抄録 | （和） | 近年のＮＡＮＤフラッシュメモリでは高集積化を目的として，1メモリセルに2ビット以上の情報を格納可能なマルチレベルセル（ＭＬＣ）が主流になっている．ＭＬＣのＮＡＮＤフラッシュメモリで生じる誤りのほとんどが単方向で1レベルの誤りであるため，単方向1レベル誤りを訂正する符号が提案されている．ＮＡＮＤフラッシュメモリでは書き込み（Program)の前に消去(Erase)を行う必要がある．この消去と書き込みの一連の操作をP/Eサイクルと呼ぶ．ＮＡＮＤフラッシュメモリではこのP/Eサイクルの回数が多くなると誤り率が高くなり，双方向の多レベル誤りが複数同時発生する確率が無視できなくなり，上述の符号では対処できなくなる．本稿では各セルのP/Eサイクルの回数を記憶し，回数が少ない時は単方向1レベル誤り訂正符号を適用し，回数が規定値を超えた場合に多シンボル誤り訂正符号に切り替える手法を提案している．評価の結果，符号の切り替えをおこなうP/Eサイクルの回数を適切に設定すると復号後の誤り率を低いまま保持できることを確認した． |
| （英） | I Recently, multi-level cell (MLC) NAND flash memory, which has memory cells capable to store 2 or more bits of information, is widely used in order to achieve high memory density. Since the dominant error in the MLC NAND flash memory is unidirectional 1-level error, a code which can correct such errors has been proposed. In NAND flash memory, erase operation is necessary before program (writing) operation. This continuous erase - program operation is called P/E cycle. As the number of P/E operations increases, the probability of multiple symbol error cannot be neglectable. The unidirectional 1-level error correcting code cannot correct these errors. This paper proposes an error correcting method which counts the number of P/E cycles of each memory cell. The proposed method applies unidirectional 1-level error correcting code at first; and applies multi symbol error correcting code if the number of P/E cycles exceeds the predetermined value. Evaluation shows that the proposed method can switch error correcting code maintaining low error rate of the decoded data. | |
| キーワード | （和） | マルチレベルNANDフラッシュメモリ / 誤り訂正符号 / P/Eサイクル / / / / / |
| （英） | NAND Flash Memory / Error Correcting Code / P/E Cycle / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 382, DC2015-76, pp. 17-22, 2015年12月. | |
| 資料番号 | DC2015-76 | |
| 発行日 | 2015-12-11 (DC) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | DC2015-76 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | DC |
| 開催期間 | 2015-12-18 - 2015-12-18 |
| 開催地（和） | クリエート村上(村上市) |
| 開催地（英） | Kurieito Mulakami (Murakami City) |
| テーマ（和） | 安全性・一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | DC |
| 会議コード | 2015-12-DC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | NANDフラッシュメモリのためのP/E サイクルを考慮した誤り訂正符号 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Error Correcting Codes Considering P/E Cycles for NAND Flash Memories |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | マルチレベルNANDフラッシュメモリ / NAND Flash Memory |
| キーワード(2)（和/英） | 誤り訂正符号 / Error Correcting Code |
| キーワード(3)（和/英） | P/Eサイクル / P/E Cycle |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅井 万平 / Mampei Asai / アサイ マンペイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北神 正人 / Masato Kitakami / キタカミ マサト |
| 第2著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-12-18 14:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | DC |
| 資料番号 | DC2015-76 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.382 |
| ページ範囲 | pp.17-22 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-12-11 (DC) |
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