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| 講演名 | 2016-01-20 11:20 ［依頼講演］酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術 ○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太（NICT）・佐々木公平（タムラ/NICT）・後藤 健（タムラ/東京農工大）・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上 尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯（東京農工大）・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸（タムラ）  ED2015-114 |
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| 抄録 | （和） | 酸化ガリウム (Ga{$_{2}$}O{$_{3}$}) は，パワーデバイス用途に適した優れた物性を有する酸化物半導体である．また，大口径・高品質な基板を，簡便・安価に製造可能という産業上の大きな魅力も合わせ持つ．これらの特徴から，SiC, GaNに続く新ワイドギャップ半導体として近年注目を集めつつある．本稿では，最近のGa{$_{2}$}O{$_{3}$}パワーデバイス開発における主要な進捗である，フィールドプレート付き横型Ga{$_{2}$}O{$_{3}$} MOSFET，およびハライド気相成長法により形成したドリフト層を有する縦型Ga{$_{2}$}O{$_{3}$}ショットキーバリアダイオードについて紹介する． |
| （英） | Gallium oxide (Ga{$_{2}$}O{$_{3}$}) is one of oxide semiconductors and has excellent material properties for power device applications. Another important advantage of Ga{$_{2}$}O{$_{3}$} is that large-area and high-quality wafers can be produced with simple and low-cost methods. From these features, Ga{$_{2}$}O{$_{3}$} has been attracting much attention as a new wide bandgap semiconductor following SiC and GaN. In this report, we introduce recent main progress of field-plated lateral Ga{$_{2}$}O{$_{3}$} metal-oxide-semiconductor field-effect transistors and vertical Ga{$_{2}$}O{$_{3}$} Schottky barrier diodes with drift layers grown by halide vapor phase epitaxy. | |
| キーワード | （和） | 酸化ガリウム / フィールドプレート / MOSFET / ハライド気相成長法 / ショットキーバリアダイオード / / / |
| （英） | gallium oxide / field plate / metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) / halide vapor phase epitaxy / Schottky barrier diode / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 402, ED2015-114, pp. 13-18, 2016年1月. | |
| 資料番号 | ED2015-114 | |
| 発行日 | 2016-01-13 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-114 |
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