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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-01-20 13:30 ［依頼講演］GaNパワーデバイスの特長とそれを活かす技術 ○中原 健・近松健太郎・山口敦司・黒田尚孝（ローム）  ED2015-115 |
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| 抄録 | （和） | 窒化ガリウムパワーデバイスは、ON抵抗(Ron)とゲート電荷(Qg)の積RonQgで表すFigure of Meritが低く、高周波スイッチング性能がその最大の特長と言える．その特長を活かすには、デバイスの低容量化が必要であり、ソースフィールドプレートを導入し、nsオーダーのスイッチングを実現した．一方、高周波スイッチングは電源の小型化のキー技術であるが、電磁両立性(EMC)を悪化させる要因ともなる．EMC対策にはシミュレーションが有効であり、回路動作とEMC予測が可能なシミュレーション環境を構築した. |
| （英） | The GaN power device have a very low value of RonQg as a figure of merit for power devices, where Ron denotes on-state resistance , and Qg gate charge. Therefore the most significant feature of GaN power devices is a high-frequency switching capability. In order to maximize this capability, the parasitic capacitances of GaN power devices should be as low as possible, and an embedded source field-plate structure is introduced. The structure enables the devices to switch in an order of ns. On the other hand, high-frequency switching deteriorates EMC, while it an be a key technology to miniaturize the power supply. Simulations have been developed to design power circuits without violating the EMC standard. | |
| キーワード | （和） | GaN / ソースフィールドプレート / 高周波駆動 / EMC / / / / |
| （英） | GaN / source field-plate / high-frequency swtiching / EMC / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 402, ED2015-115, pp. 19-24, 2016年1月. | |
| 資料番号 | ED2015-115 | |
| 発行日 | 2016-01-13 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-115 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2016-01-20 - 2016-01-20 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | パワーデバイスおよび超高周波デバイス/マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Power Devices and High-frequency Devices, Microwave, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-01-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaNパワーデバイスの特長とそれを活かす技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The unique features of GaN power devices and the technologies to utilize their innate advantages |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ソースフィールドプレート / source field-plate |
| キーワード(3)（和/英） | 高周波駆動 / high-frequency swtiching |
| キーワード(4)（和/英） | EMC / EMC |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中原 健 / Ken Nakahara / ナカハラ ケン |
| 第1著者 所属（和/英） | ローム株式会社 (略称： ローム) ROHM CO., LTD. (略称： ROHM) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 近松 健太郎 / Kentaro Chikamatsu / チカマツ ケンタロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | ローム株式会社 (略称： ローム) ROHM CO., LTD. (略称： ROHM) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦司 / Atsushi Yamaguchi / ヤマグチ アツシ |
| 第3著者 所属（和/英） | ローム株式会社 (略称： ローム) ROHM CO., LTD. (略称： ROHM) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 尚孝 / Naotaka Kuroda / クロダ ナオタカ |
| 第4著者 所属（和/英） | ローム株式会社 (略称： ローム) ROHM CO., LTD. (略称： ROHM) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-01-20 13:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-115 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.402 |
| ページ範囲 | pp.19-24 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-01-13 (ED) |
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